21ic电子技术开发论坛 › 单片机与嵌入式系统 › 新唐MCU › N76E003进入掉电模式后，通过外部中断唤醒时，发现部分S ...
123
返回列表 发新帖我要提问

[技术问答] N76E003进入掉电模式后，通过外部中断唤醒时，发现部分SRAM数据丢失，这是否与唤醒时间不足有关？

[复制链接]
207|40
吝啬晚安 发表于 2026-8-6 14:34 | 显示全部楼层
存在直接关联。N76E003 掉电唤醒需电压、晶振稳定时间，若外部中断触发脉宽太短，芯片刚上电复位、SRAM 供电未稳定就执行内存读写，直接造成数据错乱丢失。另外掉电前未关闭 BOD 易触发二次上电复位，同样破坏 SRAM，唤醒后先做短延时再读取 RAM 即可改善。
回复

收藏 举报

123
返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部
0