CoolGaN™氮化镓技术在高密度快充设计中具有哪些突出优势？

发表于 2026-7-29 13:27

主要适配小体积、大功率、多口快充的设计需求

发表于 2026-7-29 22:25

小体积、大功率、多口快充

发表于 2026-8-2 09:32

优势分为器件底层、系统整机、量产可靠性三大板块

发表于 2026-8-4 12:03

CoolGaN™是英飞凌增强型常关（e-mode）GaN HEMT氮化镓技术，专门适配快充、小型 AC-DC 电源，对比硅 MOS、级联 GaN，从器件特性、系统拓扑、小型化、散热、可靠性形成整套优势，完美解决快充「大功率 + 小体积 + 低发热」痛点

[PSOC Edge] CoolGaN™氮化镓技术在高密度快充设计中具有哪些突出优势？