OptiMOS™ MOSFETs 在自动驾驶电源系统的应用价值

发表于 2026-9-12 12:43

随着 GPU 算力提升，板级功耗激增。OptiMOS™ 6 80V MOSFETs 被广泛集成在 IBC 阶段，负责将 48V 输入电压高效转换为较低的母线电压，以满足 AI 处理器巨大的功率需求。

发表于 2026-9-12 20:13

更低的导通和开关损耗，直接意味着更少的热量产生。这使得原本可能需要“铝挤散热器+风冷”的 POL 模块，在更换 OptiMOS™ 后，可能只需“铝基板自然散热”即可。

发表于 2026-9-13 12:14

多颗 OptiMOS 并联做多相供电时，器件之间 Rds (on) 参数一致性高，电流分布均匀，不会出现单颗 MOS 过流过热、热点漂移的现象，多相电源热分布均衡。

发表于 2026-9-13 17:38

OptiMOS™ 7 40V在DRIVE域控的典型功耗与效率曲线？

发表于 2026-9-13 18:41

通态电阻的温升增长率优于传统 MOSFET；长时间满载运行导通损耗不会恶性上升，避免 “发热‑电阻变大‑更热” 的热正反馈恶性循环。

发表于 2026-9-13 20:26

在 AI 服务器的 48V 电源系统中，OptiMOS™ 器件被用作热插拔电路的核心开关，负责在系统带电状态下安全地插拔模块，保护系统免受浪涌电流冲击并维持高可用性。

发表于 2026-9-13 21:59

栅极总电荷Qg典型值仅14.8nC，开关过程动态损耗大幅减少，在高频电源转换场景下整体能效可提升2~3个百分点。

发表于 2026-9-15 20:48

依托极低的开关损耗特性，快速响应AI算力突发运算时的电流跳变，避免供电电压跌落导致的算力降频。

发表于 2026-9-17 08:38

OptiMOS™ 批次间的导通电阻一致性高，在多相并联的 POL 设计中能实现良好的均流效果，避免因电流不均导致局部过热。

发表于 2026-9-17 17:26

相比传统器件，技术优势有哪些限制？

发表于 2026-9-17 18:39

OptiMOS™ 采用 SuperSO8、TDSON-8、PQFN 等紧凑封装，在提供强大性能的同时，占板面积小，非常适合 DRIVE 平台这类空间紧凑的计算平台。

发表于 2026-9-17 20:45

OptiMOS™ 具有更小的栅极电荷和栅漏电荷，这使得开关速度更快，从而降低了每次开关动作带来的能量损耗。

发表于 2026-9-18 15:29

OptiMOS™ 6 系列相比前代，导通电阻可降低 18% 甚至高达 41%，显著降低了传导损耗。

发表于 2026-9-19 13:54

在 NVIDIA 推进的 800V HVDC 架构中，OptiMOS™ 硅基 MOSFETs 凭借其成本效益和可靠性，适用于当前 AI 基础设施升级的过渡阶段及特定配电环节。

发表于 2026-9-19 15:58

超低导通电阻

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