OptiMOS™ MOSFETs 在自动驾驶电源系统的应用价值

发表于 2026-9-12 12:43

随着 GPU 算力提升，板级功耗激增。OptiMOS™ 6 80V MOSFETs 被广泛集成在 IBC 阶段，负责将 48V 输入电压高效转换为较低的母线电压，以满足 AI 处理器巨大的功率需求。

发表于 2026-9-12 20:13

更低的导通和开关损耗，直接意味着更少的热量产生。这使得原本可能需要“铝挤散热器+风冷”的 POL 模块，在更换 OptiMOS™ 后，可能只需“铝基板自然散热”即可。

发表于 2026-9-13 12:14

多颗 OptiMOS 并联做多相供电时，器件之间 Rds (on) 参数一致性高，电流分布均匀，不会出现单颗 MOS 过流过热、热点漂移的现象，多相电源热分布均衡。

发表于 2026-9-13 17:38

OptiMOS™ 7 40V在DRIVE域控的典型功耗与效率曲线？

发表于 2026-9-13 18:41

通态电阻的温升增长率优于传统 MOSFET；长时间满载运行导通损耗不会恶性上升，避免 “发热‑电阻变大‑更热” 的热正反馈恶性循环。

发表于 2026-9-13 20:26

在 AI 服务器的 48V 电源系统中，OptiMOS™ 器件被用作热插拔电路的核心开关，负责在系统带电状态下安全地插拔模块，保护系统免受浪涌电流冲击并维持高可用性。

[数字电源] OptiMOS™ MOSFETs 在自动驾驶电源系统的应用价值