前阵子接了个舞台帕灯的项目，参数要求不算复杂但实际做起来踩了不少坑：
输入：24V/36V/48V通用（客户要兼容不同电源适配器）
输出：驱动多颗RGB灯珠串联，总功率300W+
调光：要细腻，不能有频闪（舞台拍摄需求）
控制：最好能做到共阳极控制（多路调光方便）
一开始想用降压拓扑，但输入电压范围太宽（24V-48V），灯珠串电压也跟着变，降压方案做不了宽压通用。后面选来选去定了一颗宽压输入的降压恒流方案。
为什么选这颗：
输入12-100V，24V/36V/48V通吃
平均电流模式控制，不需要环路补偿，恒流精度±2%
外置MOS，最大10A，功率可延展
DIM脚支持PWM调光，调光深度最低0.01%
效率标称94%（实际取决于MOS选型和布线）
MOS选型：我踩的第一个坑
第一版随手抓了一颗常用的NMOS，Rds(on)≈40mΩ，Qg≈30nC。规格书上看着还行，实际跑起来问题来了：
10A输出时，导通损耗P = I²×R = 100×0.04 = 4W，光MOS本身就要散4W热
加上开关损耗（Vds×Ids×fsw×tr/tf），实际MOS温升跑到85℃+
效率算下来只有87%，与标称的94%相差甚远
后面换了低内阻的管子，Rds(on)≈15mΩ，Qg稍微高一点但也在可接受范围，导通损耗降到1.5W，效率直接拉到了93%以上。
几个建议供参考：选MOS的时候别只看Rds(on)，高压大电流下还要关注Qg。因为开关损耗=0.5×Vds×Ids×(tr+tf)×fsw，Qg越低，开关速度越快，开关损耗越小。但Qg做低的管子通常Rds(on)会高一些，这俩是矛盾的，需要根据实际工作电流找一个平衡点。10A以内的工作电流，Qgd尽量控制在15nC以下比较稳妥。
驱动能力不足的问题
这颗芯片的DR脚直驱MOS，在小功率下（100W以内）完全够用。但功率超过200W后，开关速度跟不上，MOS发热明显增加。后来参考芯片手册上的应用电路图，在DR脚和MOS栅极之间加了一组推挽电路，开关速度提上去了，问题解决。
做200W以上方案，建议预留推挽电路的位置，看实测结果决定要不要贴。
调光频率怎么定？
DIM脚支持PWM调光，频率范围0.1-20kHz。我试了几个频点：
200Hz：灯光有轻微抖动，人眼看不出来但手机拍会闪
1KHz：人眼和手机拍摄都OK
5KHz以上：电流波形开始失真，低亮度下恒流精度变差
最后定在1KHz，这个频点兼顾了无频闪和恒流精度，做舞台灯的同行可以参考。另外有个小发现：DIM脚输入电容超过100pF时，上升沿会变缓，开关损耗增加。所以DIM走线尽量短，电容尽量小。
Layout几点心得（大功率版）
功率回路要短：输入电容→MOS→电感→续流管→输出电容，这个回路围成的面积越小，EMI越好。我的第一版走线绕远了，辐射超标，后面重新布局才过。
MOS和芯片的地要单点接地：功率地和信号地分开，在芯片EPAD处汇合，否则采样电阻上的信号会被干扰。
芯片底部焊盘必须接地铺铜：大功率下芯片本身也有功耗，底部焊盘不焊好会导致过温保护提前触发。
建议用2oz铜厚：1oz在大电流下温升明显，2oz能有效降低PCB走线阻抗。
大电流路径要开窗加锡：MOS的D极、S极、电感焊盘、续流管焊盘，能开窗加锡就加，散热和过流能力都会改善。
实测数据（48V输入，36V/3A输出）：
MOS型号 Rds(on) 驱动方式 效率 MOS温升
A管 40mΩ 直驱 87% 85℃
B管 15mΩ 直驱 91% 65℃
B管 15mΩ 推挽 93% 52℃
总结：
这颗芯片适合做大功率调光应用——舞台灯、工矿灯、汽车大灯、大型调光电源都行。外置MOS的架构让功率覆盖范围很宽，从几十瓦到三百多瓦都能做，灵活性高。调光深度0.01%在舞台灯行业算是第一梯队。
做200W以上方案，MOS选型和驱动电路一定要重视，芯片本身没问题，但外围设计决定了最终效果。
各位如果也在做类似的大功率调光方案，欢迎交流。
有什么问题直接回帖或者私信，看到就回。👋 |
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