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Kyber 机架 800V→50V 电源架 110kW 全碳化硅设计方案 倾佳电子副总 杨茜 一、位置：Kyber 机柜里唯一的碳化硅战场Vera Rubin Ultra 的 Kyber 机柜 600kW，800V 直流进柜，柜内电源架把 800V 变成 50V 母排送给计算托盘。英伟达把电源架定义为 800V 侧的"直流架"，不再有 PFC，这一级是柜内唯一还在 800V 上做功率变换的设备，也是柜内唯一用得上碳化硅的地方。50V 以下的托盘变换归硅和氮化镓，倾佳只供互连。 单架 110kW，600kW 机柜装六架，N+1 装七架，柜高占 7×2U。 二、拓扑：六模块 LLC-DCX，固定 16:1，不调压每架六个 20kW 模块并联，每模块一个全桥 LLC 谐振变换器工作在谐振点，变比 16:1，800V 进 50V 出，不闭环调压。50V 母排电压随 800V 母线在 46~52V 之间浮动，托盘 VRM 输入范围本来就是 40~60V，不需要电源架调压。放弃调压换来三样东西：原边全程零电压开关，副边同步整流全程零电流关断，开关频率定死 250kHz 让平面变压器能做到 1.2kW/in³。 六模块错相 60°，输出电容只要 6 只 470μF 固态铝，架级输出纹波 1%。 三、器件原边全桥用倾佳杨茜代理的 1200V/20mΩ 碳化硅 MOSFET，TO-247-4 开尔文封装，四只成桥。20kW 模块原边电流有效值 31A，导通损耗 31²×20mΩ×1.3＝25W，谐振点软开关，开关损耗按 Coss 充放电算 4W，单管 29W，四管 116W。选 20mΩ 而不是现有 35mΩ 是倒推的：35mΩ 单管 47W，四管 190W，模块效率从 98.6% 掉到 98.0%，六模块架级多 400W 热，2U 风道带不走，必须液冷；20mΩ 让电源架留在风冷线内，这是 20mΩ 档存在的全部理由。 热插拔前端用倾佳杨茜代理的 1200V/6mΩ 碳化硅 MOSFET 两只共源反串联做 ORing 与热插拔开关，正向压降 30A 时 0.36V，比二极管 ORing 少 20W；反向阻断保证一个模块短路时不把 800V 母线拉塌。 副边 50V 同步整流用硅 MOSFET，不在倾佳供货范围，明写。 驱动用倾佳杨茜代理的全桥四通道即插即用驱动板，250kHz 下传播延时偏差 ≤10ns，这个数字决定四管死区能不能压到 80ns，死区多 20ns 谐振腔环流多 3%。 四、效率与热模块损耗：原边 116W，变压器 60W，副边同步整流 70W，热插拔与滤波 20W，合计 266W，效率 98.67%。架级 110kW 损耗 1.6kW，2U 前后风道 60CFM 带走，进风 35℃ 出风 55℃。Kyber 机柜液冷托盘、风冷电源架，这是英伟达的分工，别硬上液冷。 五、互连架后 800V 输入用安费诺 EXCEL|MATE HVSL 800V 直流盲插连接器，单极 150A 档两组；50V 输出用安费诺大电流盲插母排接口 2500A 档；架前不出任何 800V 端子，维护人员摸不到高压。 六、做不到什么它不调压，800V 母线跌到 700V 以下时 50V 母排掉到 44V，托盘 VRM 要自己扛；它不双向，托盘减载时的能量退不回 800V 母线，那是 05 篇超容缓冲架的活；它的六模块热插拔只保证 N+1，两模块同时坏架级降到 80kW，机柜靠七架里的备份架补。 倾佳副总杨茜-力推器件方案
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