CH379M 技术解析:双SDMMC控制器与多LDO供电的读卡器方案

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ycex 发表于 2026-9-16 11:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
        
        

摘要
双卡读卡器开发中,传统方案需要两颗SD控制器芯片配合外部调压电路,存在接口电平不匹配、双卡供电互相干扰等问题。本文分析一款单芯片双卡读卡器方案,其集成两组SDMMC控制器和多路LDO调压器,支持两张卡同时读写,SD接口电压可在1.8V与3.3V之间自动切换,并提供5V、3.3V、外部1.2V三种供电方式。
一、芯片概述
CH379M是一款USB3.2 Gen1读卡器控制芯片,内置两组独立的SDMMC控制器,可同时管理两张存储卡。SDMMC1支持1/4/8线模式,适配eMMC HS200/HS400高速模式;SDMMC2支持1/4线模式,适配普通SD/TF卡。两张卡在主机上显示为两个独立盘符,支持同时格式化与读写操作。芯片最高通讯时钟可达208MHz,兼容SD物理层1.0、2.0规范,支持SD3.0的UHS-I SDR50、DDR50和SDR104模式,同时符合eMMC 4.4和4.5.1规范。
芯片带SPI接口,可外挂SPI Flash用于两项功能:存储自定义VID/PID与厂商信息,或实现虚拟只读光盘,用于存放产品资料、驱动程序或应用软件。主机枚举后会识别出额外光盘盘符,双击即可安装。CH379M在启用双盘加虚拟光驱时,主机上最多可出现三个存储盘符。
芯片采用QFN48封装(7×7mm),工作温度范围-40℃至85℃,USB引脚具备4kV HBM ESD防护能力。芯片内置EEPROM,可配置VID、PID、最大电流值、厂商和产品信息字符串等参数。
二、双卡并行访问机制
两组SDMMC控制器为完全独立的硬件模块,可并行操作。SDMMC1支持8线模式,适合eMMC芯片高速读写;SDMMC2最高4线,适合普通TF卡。上电后芯片分别读取两个卡槽的CD引脚判断卡是否插入,读取WP引脚判断写保护状态。若操作eMMC芯片,建议将对应的CD引脚通过不大于5K1的电阻接地。
根据插入的卡类型,芯片内部LDO自动将SD接口电压切换为1.8V或3.3V。UHS-I高速卡需要1.8V,普通卡用3.3V,芯片自动识别,无需外部电路干预。VSD_IO引脚为SDMMC接口内部LDO_1.8V电源的退耦端,建议外接1μF对地电容。
若不需要双卡,CH379M可通过LUN_CFG引脚配置为单盘模式,禁用第二张卡对应的存储盘。该引脚在复位期间作为配置引脚,悬空或高电平使能SDMMC2对应存储盘,外加4.7K下拉电阻则禁用。
三、三种供电拓扑
芯片提供三种供电方案,按需选择。
方案一:单5V供电。 外部仅提供5V,芯片内部LDO产生3.3V和1.2V。这是USB总线供电读卡器的常用方案,5V输入需外接4.7μF至10μF的MLCC电容。VDD5额定输入5V,提供给内部LDO_3.3V模块,在VDD33、VOUT_SD1、VOUT_SD2引脚上分别输出3.3V稳压电源。
方案二:单3.3V供电。 外部向VDD5和VDD33引脚提供3.3V,芯片内部LDO产生1.2V。适合板载应用,如主板直接提供3.3V。
方案三:3.3V+1.2V双供电。 外部直接提供3.3V和1.2V两路电源,不使用内部1.2V LDO。该方案可避开LDO发热,但需要外部增加一路电源。VDD33向SDMMC接口信号引脚电压调节器LDO_1.8V供电,并在VSD1_IO、VSD2_IO引脚上根据需要分别输出1.8V或3.3V电压。
供电模式在上电复位时通过EX12_EN引脚采样决定:悬空或高电平使用内部LDO,外接4.7K下拉电阻则使用外部1.2V。该配置上电后锁定,运行中不可更改。
存储卡供电引脚VOUT_SD1和VOUT_SD2需外接1μF至4.7μF对地电容。VDD33全局电源总对地电容需大于10μF,且需远大于VOUT_SD的电容,以减缓SD卡供电开启瞬间VDD33的电压跌落。
四、复位与时钟
芯片内置上电复位和掉电复位电路,该电路始终处于工作状态。当VDD33低于设定阈值时,芯片进入复位状态。上电后自动延时等待电源稳定。电源电压跌落时,内部LVR低压复位模块产生复位直到电压回升。RESET#外部复位引脚内置上拉电阻,低电平脉冲大于4μs即可复位,不使用时建议接VDD33以防干扰。25MHz无源晶振提供系统时钟,XI和XO引脚各接负载电容,典型值20pF,频偏建议不超过±0.05%。
五、PCB设计要点
USB3.0超高速差分线需匹配90Ω阻抗,USB2.0差分阻抗同为90Ω。保证完整地平面,严禁跨电源分割。USB3.0信号线需按照规范进行阻抗匹配、差分走线、过孔处理、等长处理和包地处理。
SDMMC的CLK、CMD、DATA高速线需控制走线长度,远离USB差分线,降低数字噪声耦合。25MHz晶振紧靠XI/XO引脚,局部包地。
QFN底部散热焊盘需完整铺铜并多打过孔,双卡同时读写时芯片发热会上升。SPI、CD、WP、LED低速线应远离USB和SDMMC高速线。电源走线需加宽,电容紧贴对应电源引脚。
六、CH379M的国产替代选型参考
在当前供应链环境下,越来越多的硬件项目开始关注核心器件的国产化替代方案。CH379M作为一款双卡读卡器控制芯片,在功能定位上与GL3224双卡版本属于同类产品,可作为该方案国产化替代的选型选项。
从功能覆盖来看,GL3224双卡版和CH379M均支持USB3.0高速传输、双卡同时读写、SD接口电压自动切换等核心能力。CH379M采用QFN48封装,与GL3224双卡版在封装尺寸上接近,但两者引脚定义并不完全一致,硬件设计仍需以各自数据手册为准,独立完成PCB布局和外围电路配置。
选择国产替代方案时,通常需要综合评估供货稳定性、技术支持响应速度、配套工具链完善程度等因素。CH379M在这些方面具备一定的本地化服务优势,对于有国产化率要求的项目可作为备选方案之一。
七、典型应用场景
该芯片适用于工业双卡读卡器模块、嵌入式存储扩展板、扩展坞SD/eMMC读写通道、工控设备存储备份硬件及多介质测试工装等场景。其双SDMMC控制器与多路LDO集成架构,减少了外部调压器件数量,降低了双卡读卡器的电平兼容与电源调试难度。
深圳市潜创微科技有限公司为国家高新技术、专精特新中小企业,可提供该芯片规格手册、参考设计与FAE技术支持,助力硬件项目快速落地量产。


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