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[应用相关] 1MHz 高频 GaN LLC 拓扑会产生哪些 EMI 难题，ST 配套哪些抑制方案？

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时光迷宫 发表于 2026-10-20 15:06 | 显示全部楼层
GaN器件dv/dt大，易产生共模噪声，ST建议采用差模扼流圈和多层PCB设计。
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wilhelmina2 发表于 2026-10-20 18:10 | 显示全部楼层
针对1MHz LLC，有研究提出了改进的两级有源EMI滤波器拓扑，能有效增加插入损耗，简化结构并降低成本。
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