3）真正双端口RAM模式
真正双端口RAM模型如图4-124所示，图中上边的端口A和下边的端口B都支持读写操作，WEA、WEB信号为高时进行写操作，低为读操作。同时它支持两个端口读写操作的任何组合：两个同时读操作、两个端口同时写操作或者在两个不同的时钟下一个端口执行写操作，另一个端口执行读操作。 ![]()
图4-124 Xilinx真正双端口块RAM的示意模型 真正双端口RAM模式在很多应用中可以增加存储带宽。例如，在包含嵌入式处理器MiroBlaze和DMA控制器系统中，采用真正双端口RAM模式会很方便；相反，如果在这样的一个系统中，采用简单双端口RAM模式，当处理器和DMA控制器同时访问RAM时，就会出现问题。真正双端口RAM模式支持处理器和DMA控制器同时访问，这个特性避免了采用仲裁的麻烦，同时极大地提高了系统的带宽。
一般来讲，在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式中，能达到的最宽数据位为36比特*512，但可以采用级联多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM。当两个端口同时向同一个地址单元写入数据时，写冲突将会发生，这样存入该地址单元的信息将是未知的。要实现有效地向同一个地址单元写入数据，A 端口和B端口时钟上升沿的到来之间必须满足一个最小写周期时间间隔。因为在写时钟的下降沿，数据被写入块RAM中，所以A端口时钟的上升沿要比B端口时钟的上升沿晚到来1/2个最小写时钟周期，如果不满足这个时间要求，则存入此地址单元的数据无效。
4）ROM模式
块RAM还可以配置成ROM，可以使用存储器初始化文件（.coe）对ROM进行初始化，在上电后使其内部的内容保持不变，即实现了ROM功能。
5）FIFO模式
FIFO即先入先出，其模型如图4-125所示。在FIFO具体实现时，数据存储的部分是采用简单双端口模式操作的，一个端口只写数据而另一个端口只读数据，另外在RAM（块RAM和分布式RAM）周围加一些控制电路来输出指示信息。FIFO最重要的特征是具备“满（FULL）”和“空（EMPTY）”的指示信号，当FULL信号有效时（一般为高电平），就不能再往FIFO中写入数据，否则会造成数据丢失；当EMPTY信号有效时（一般为高电平），就不能再从FIFO中读取数据，此时输出端口处于高阻态。 ![]()
图4-125 Xilinx FIFO模块的示意模型 2．块RAM IP Core的使用
块RAM已在本书第3章有过介绍，这里就不再赘述。
3．ROM存储器IP Core的使用
对于ROM模块，主要是生成相应的.coe文件。下面以一个实例介绍如何借助MATLAB生成ROM的.coe文件。
例4-8 生成定点正余弦波形数值，形成.coe文件并加载到块ROM中。
整体过程主要分为下面的3步。
首先，利用MATLAB计算出正余弦波形的浮点值，并量化16比特的定点波形数值：
x= linspace(0,6.28,1024); //在区间[0,6.28]之间等间隔地取1024个点
y1=cos(x); //计算相应的正余弦值
y2=sin(x);
//由于正余弦波形的值在[0,1]之间，需要量化成16比特，先将数值放大
y1=y1*32678;
y2=y2*32768;
//再将放大的浮点值量化，并写到存放在C盘的文本中
fid = fopen('c:/cos_coe.txt', 'wt');
fprintf(fid, '%16.0f\n', y1); //在写文件的时候量化成16比特
fclose(fid)
fid = fopen('c:/sin_coe.txt', 'wt');
fprintf(fid, '%16.0f\n', y2);
fclose(fid)
其次，生成coe文件。在C盘根目录下，将cos_coe.txt和sin_coe.txt的后缀改成.coe，打开文件，把每一行之间的空格用文本的替换功能换成逗号“,”，并在最后一行添加一个分号“;”。最后在文件的最开始添加下面两行：
memory_initialization_radix=10;
memory_initialization_vector =
然后保存文件退出。
最后，将coe文件加载到BLOCKROM所生成的ROM中。新建一个BLOCKRAM的IP core，其位置为“Memories & Storage Elements RAMs & ROMS Block Memory Generator v2.4”，在第一页选择single port rom，在第二页选择位宽为16、深度为1024，在第三页下载coe文件，如图4-126所示，然后双击“Finish”，完成IP core的生成。如果coe文件生成的不对，图中用椭圆标志之处是红色的，coe文件错误的类型主要有数据基数不对和数据的长度不对这两类。 ![]()
图4-126 块ROM加载coe文件的用户配置界面 | 
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