为什么mos发热？

发表于 2013-1-5 18:55

谈的元发表于 2013-1-4 22:35
干扰大要想法消除干扰，

频率不能改变的话，要降低发热就要提高开关速度，使MOS放大阶段的时间变短 ...

频率越高，发热越厉害，实验是这个结果，开关损耗太大了，不知道怎么降低开关损耗？

发表于 2013-1-5 21:02

1、估计是你的门电路的驱动能力不够，导致开关速度比较慢。如果确定是因为开关损耗引起的，那么建议增加MOSFET栅极驱动电流，加速MOSFET开关。
2、MOSFET的封装是不是小了？

发表于 2013-1-6 12:03

有可能是电路故障引起的，也可能是没有处理好散热问题

发表于 2013-1-6 17:15

lipeiyun0212 发表于 2013-1-6 11:36
需要到mos管的联系我低压和高压全系列 QQ;2523988430

居然开打广告了。。。

发表于 2013-1-7 11:19

估计是频率太高了吧

发表于 2013-1-7 17:27

MOS控制部分，增加线路，以增加开启/关闭速度了，

发表于 2013-1-7 20:20

给你说了，频率不能降的话，就提高开关速度，干扰要LC滤波解决

发表于 2013-1-7 22:09

anybody 发表于 2013-1-5 21:02
1、估计是你的门电路的驱动能力不够，导致开关速度比较慢。如果确定是因为开关损耗引起的，那么建议增加MOS ...

驱动电流越大，会造成更大的漏极电压尖峰，这样可能功耗更大，怎么消除那些尖峰呢

发表于 2013-1-7 22:12

谈的元发表于 2013-1-7 20:20
给你说了，频率不能降的话，就提高开关速度，干扰要LC滤波解决

小弟还是不太懂，干扰怎么通过LC滤波呢？

发表于 2013-1-8 14:10

驱动电压高点怎么样

发表于 2013-1-8 20:09

你先提高驱动再说，遇到什么问题再解决

发表于 2013-1-10 21:46

xiaoyuxiaoer 发表于 2013-1-7 22:09
驱动电流越大，会造成更大的漏极电压尖峰，这样可能功耗更大，怎么消除那些尖峰呢 ...

可以加RCD钳位，简单的作法是用二极管+TVS钳位。这样可以讲损耗转移到电阻上或者TVS上。你这不是驱动感性负载，尖峰应该不会很大。

发表于 2013-1-11 00:32

正好来学一下，，到底怎么解决，才能不发热严重呢

发表于 2013-1-11 12:22

开关损耗太大，你可以选用Qg比较小的，同时需要调整Rg
还有就是减少切换损耗，得关注爬升以及下降时间。

发表于 2013-1-11 13:12

xiaoyuxiaoer 发表于 2013-1-7 22:09
驱动电流越大，会造成更大的漏极电压尖峰，这样可能功耗更大，怎么消除那些尖峰呢 ...

驱动能力不足时肯定的，从你栅极波形的两个台阶就可以明确。
那么缓的上升下降沿开关损耗肯定低不了。这么高频率不热才怪。唯一的办法就是提高驱动能力。
至于漏极尖峰电压则是分布电感引起的，在漏极与电源之间反向并联一个肖特基二极管可以解决。

发表于 2013-1-11 14:31

rogerllg 发表于 2013-1-3 21:20
1、你通过门电路控制的话，VGS并不高，导通的内阻应该有上百毫欧吧！不知道你用哪一颗MOS
2、感性负载会 ...

反并二极管试试到底有没有效果呢

发表于 2013-3-9 11:00

要看详细的MOS管和LED的局部电路图！…

发表于 2013-3-9 21:08

个人觉得“功率回路”的特性“太硬，太刚性”，可以串联适当的电感和降低频率。

发表于 2013-3-12 11:07

手绘波形图，给跪了！个人感觉不应该选大MOS管~驱动电压跟不上~DS为30V管就够了

发表于 2013-4-5 12:44

为什么mos发热？

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