发新帖我要提问
123下一页
返回列表
打印

为什么mos发热？

[复制链接]
楼主: xiaoyuxiaoer
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
21楼
xiaoyuxiaoer|  楼主 | 2013-1-5 18:55 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
谈的元 发表于 2013-1-4 22:35
干扰大要想法消除干扰，

频率不能改变的话，要降低发热就要提高开关速度，使MOS放大阶段的时间变短 ...

频率越高，发热越厉害，实验是这个结果，开关损耗太大了，不知道怎么降低开关损耗？

使用特权

评论回复 赏
22楼
anybody| | 2013-1-5 21:02 | 只看该作者
1、估计是你的门电路的驱动能力不够，导致开关速度比较慢。如果确定是因为开关损耗引起的，那么建议增加MOSFET栅极驱动电流，加速MOSFET开关。
2、MOSFET的封装是不是小了？

使用特权

评论回复 赏
评论
xiaoyuxiaoer 2013-1-7 22:28 回复TA
原理是对的 
23楼
skm2008| | 2013-1-6 12:03 | 只看该作者
有可能是电路故障引起的，也可能是没有处理好散热问题

使用特权

评论回复 赏
24楼
lshp709612| | 2013-1-6 17:15 | 只看该作者
lipeiyun0212 发表于 2013-1-6 11:36
需要到mos管的联系我  低压和高压全系列  QQ;2523988430

居然开打广告了。。。

使用特权

评论回复 赏
25楼
songbo86| | 2013-1-7 11:19 | 只看该作者
估计是频率太高了吧

使用特权

评论回复 赏
26楼
xhzheng0| | 2013-1-7 17:27 | 只看该作者
MOS控制部分，增加线路，以增加开启/关闭速度了，

使用特权

评论回复 赏
27楼
谈的元| | 2013-1-7 20:20 | 只看该作者
给你说了，频率不能降的话，就提高开  关 速度，干扰要LC滤波解决

使用特权

评论回复 赏
评论
xiaoyuxiaoer 2013-1-7 22:30 回复TA
分都给你了，虽然还是不懂怎么滤波，滤波电容 电阻都发热了。。。LC不太懂原理 
28楼
xiaoyuxiaoer|  楼主 | 2013-1-7 22:09 | 只看该作者
anybody 发表于 2013-1-5 21:02
1、估计是你的门电路的驱动能力不够，导致开关速度比较慢。如果确定是因为开关损耗引起的，那么建议增加MOS ...

驱动电流越大，会造成更大的漏极电压尖峰，这样可能功耗更大，怎么消除那些尖峰呢

使用特权

评论回复 赏
29楼
xiaoyuxiaoer|  楼主 | 2013-1-7 22:12 | 只看该作者
谈的元 发表于 2013-1-7 20:20
给你说了，频率不能降的话，就提高开  关 速度，干扰要LC滤波解决

小弟还是不太懂，干扰怎么通过LC滤波呢？

使用特权

评论回复 赏
30楼
yxyhntk| | 2013-1-8 14:10 | 只看该作者
驱动电压高点怎么样

使用特权

评论回复 赏
31楼
谈的元| | 2013-1-8 20:09 | 只看该作者
你先提高驱动再说，遇到什么问题再解决

使用特权

评论回复 赏
32楼
anybody| | 2013-1-10 21:46 | 只看该作者
xiaoyuxiaoer 发表于 2013-1-7 22:09
驱动电流越大，会造成更大的漏极电压尖峰，这样可能功耗更大，怎么消除那些尖峰呢 ...

可以加RCD钳位，简单的作法是用二极管+TVS钳位。这样可以讲损耗转移到电阻上或者TVS上。你这不是驱动感性负载，尖峰应该不会很大。

使用特权

评论回复 赏
33楼
songzhige| | 2013-1-11 00:32 | 只看该作者
正好来学一下，，到底怎么解决，才能不发热严重呢

使用特权

评论回复 赏
34楼
又又二呆| | 2013-1-11 12:22 | 只看该作者
开关损耗太大，你可以选用Qg比较小的，同时需要调整Rg
还有就是减少切换损耗，得关注爬升以及下降时间。

使用特权

评论回复 赏
35楼
bald| | 2013-1-11 13:12 | 只看该作者
xiaoyuxiaoer 发表于 2013-1-7 22:09
驱动电流越大，会造成更大的漏极电压尖峰，这样可能功耗更大，怎么消除那些尖峰呢 ...

驱动能力不足时肯定的，从你栅极波形的两个台阶就可以明确。
那么缓的上升下降沿开关损耗肯定低不了。这么高频率不热才怪。唯一的办法就是提高驱动能力。
至于漏极尖峰电压则是分布电感引起的，在漏极与电源之间反向并联一个肖特基二极管可以解决。

使用特权

评论回复 赏
36楼
songzhige| | 2013-1-11 14:31 | 只看该作者
rogerllg 发表于 2013-1-3 21:20
1、你通过门电路控制的话，VGS并不高，导通的内阻应该有上百毫欧吧！不知道你用哪一颗MOS
2、感性负载会 ...

反并二极管试试到底有没有效果呢

使用特权

评论回复 赏
37楼
jjeemm77| | 2013-3-9 11:00 | 只看该作者
要看详细的MOS管和LED的局部电路图！…

使用特权

评论回复 赏
38楼
xiaoyuan_ly| | 2013-3-9 21:08 | 只看该作者
个人觉得“功率回路”的特性“太硬，太刚性”，可以串联适当的电感和降低频率。

使用特权

评论回复 赏
39楼
phoebuss| | 2013-3-12 11:07 | 只看该作者
手绘波形图，给跪了！个人感觉不应该选大MOS管~驱动电压跟不上~DS为30V管就够了

使用特权

评论回复 赏
40楼
HORSE7812| | 2013-4-5 12:44 | 只看该作者
:)

使用特权

评论回复 赏
下一页 »
123下一页
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则