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双向可控硅的门极触发电流问题

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楼主
xiaoxi06010027|  楼主 | 2013-3-11 17:15 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
触发, 双向可控硅, 电流, AC, 电阻

请问各位，双向可控硅门极触发电流的灵敏度选择多大比较合适啊？选大好，还是选小点比较好？跟负载内阻有关系吗？跟门极电流对应的门极限流电阻该选多大啊？


附件是我的双向可控硅驱动电路，以及选用的双向可控硅规格书

加热器的规格是：加热丝，55W/220V


我这个电路是抄来的，总感觉对选用的参数不放心。

各位能否抽点时间，帮我看看这个电路中，触发电流选用多大规格比较合适？

门极限流电阻怎么计算参数（电阻值，功率）？


双向可控硅应用电路.pdf (13.75 KB)


Z01series.pdf (124.48 KB)


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沙发
maychang| | 2013-3-11 17:19 | 只看该作者
根据晶闸管datasheet选择。

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板凳
chunyang| | 2013-3-11 20:11 | 只看该作者
可控硅的触发电流事实上是个电流的积分，合适的数值要看具体的型号，去查器件手册吧，注意取值不要极限，否则会影响可靠性和使用寿命。

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地板
xiaoxi06010027|  楼主 | 2013-3-11 20:16 | 只看该作者
chunyang 发表于 2013-3-11 20:11
可控硅的触发电流事实上是个电流的积分，合适的数值要看具体的型号，去查器件手册吧，注意取值不要极限，否 ...

请看下我的实际电路，和 负载，在Z01xx系列TO92规格中找，触发电流是该选择3mA，5mA，10mA还是25mA呢？选多大比较合适？

谢谢

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5楼
chunyang| | 2013-3-11 20:19 | 只看该作者
在器件手册规定的范围内即可，触发电流越大，导通的越快，但过大的话可控硅容易老化，具体看器件手册跟你的具体电路关系不大。

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6楼
xiaoxi06010027|  楼主 | 2013-3-11 20:25 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-3-11 17:19
根据晶闸管datasheet选择。

请具体对照下附件的规格说说看，好吗？谢谢

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7楼
xiaoxi06010027|  楼主 | 2013-3-11 20:38 | 只看该作者
chunyang 发表于 2013-3-11 20:19
在器件手册规定的范围内即可，触发电流越大，导通的越快，但过大的话可控硅容易老化，具体看器件手册跟你的 ...

选的过小会不会误触发呢？

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8楼
Lgz2006| | 2013-3-11 20:47 | 只看该作者
xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 20:38
选的过小会不会误触发呢？

考虑你是光偶驱动，选取小者为好（看光耦参数），注意留有足够余地
另在GK并一电阻甚至电容，可防误触发

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9楼
chunyang| | 2013-3-11 21:11 | 只看该作者
xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 20:38
选的过小会不会误触发呢？

触发电流的大小与是否误触发完全无关，误触发来自非受控的触发电流或其它特殊因素。

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10楼
xiaoxi06010027|  楼主 | 2013-3-11 21:35 | 只看该作者
chunyang 发表于 2013-3-11 21:11
触发电流的大小与是否误触发完全无关，误触发来自非受控的触发电流或其它特殊因素。 ...

我觉得在不考虑光耦的输出电流余量的问题，这个双向可控硅的触发电流选多大，电路都能工作的吧。
如果选择的触发电流是3mA，当门极电流大于3mA时双向可控硅一定会打开。门极电压是交流电，电压值能从0-220*1.414V。肯定有个值能触发双向可控硅。至于门极限流电阻，只要考虑光耦在交流电处于峰值时，光耦打开时的门极电流小于门极的最大电流IGM就可以了吧。公式即：（交流电有效电压*1.414-V光耦导通压降）/门极限流电阻<门极的最大电流IGM

上面我的分析对吗?
谢谢

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11楼
xiaoxi06010027|  楼主 | 2013-3-11 22:08 | 只看该作者
chunyang 发表于 2013-3-11 21:11
触发电流的大小与是否误触发完全无关，误触发来自非受控的触发电流或其它特殊因素。 ...

请问，附件中的RCC电路该怎么设计啊？是不是只有感性负载才需要这个啊？阻性负载有必要也加这个电路吗？其中，RC的参数该怎么定呢？R阻值选多大？功率选多大？C的容量选多大？怎么调试呢？

谢谢

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12楼
xiaoxi06010027|  楼主 | 2013-3-11 22:08 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2013-3-11 20:47
考虑你是光偶驱动，选取小者为好（看光耦参数），注意留有足够余地
另在GK并一电阻甚至电容，可防误触发 ...

请问，附件中的RCC电路该怎么设计啊？是不是只有感性负载才需要这个啊？阻性负载有必要也加这个电路吗？其中，RC的参数该怎么定呢？R阻值选多大？功率选多大？C的容量选多大？怎么调试呢？

谢谢

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13楼
chunyang| | 2013-3-11 22:48 | 只看该作者
xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 22:08
请问，附件中的RCC电路该怎么设计啊？是不是只有感性负载才需要这个啊？阻性负载有必要也加这个电路吗？ ...

纯阻性负载无须RC吸收电路。

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14楼
chunyang| | 2013-3-11 22:52 | 只看该作者
xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 21:35
我觉得在不考虑光耦的输出电流余量的问题，这个双向可控硅的触发电流选多大，电路都能工作的吧。
如果选 ...

你的理解完全错误。双向可控硅的触发电流不是你想要多大就多大，而是有器件的设计参数决定，每个型号的可控硅的触发电流都有个范围。在器件准许的范围内，触发电流的大小决定着触发时间，也就是说可控硅的触发是个电流的积分，建议楼主去看看可控硅工作原理方面的文档。

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15楼
laoxu| | 2013-3-12 07:41 | 只看该作者
这么小的功率，55W220V,  有几mA电流，就能可靠触发，具体触发电流请参阅可控硅的型号及参数，一般触发电流控制在 5-20mA之间，电流大触发时间可短些，电流小需触发时间略为大一点，或多脉冲触发。

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16楼
fstarx| | 2013-3-12 11:11 | 只看该作者

楼主的手册里面讲的是一系列的可控硅的参数
具体的触电流在手册里面已经做了很详细的注释，在里面注明了不同型号的电流选择规则，如上图中的Sensitivity

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17楼
ranyao70| | 2013-3-12 14:22 | 只看该作者
赞一个，谢谢分享

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18楼
power_qiu| | 2013-9-25 14:25 | 只看该作者
可控硅应用与技术讨论群：315490218

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19楼
lumiao827| | 2014-2-10 08:58 | 只看该作者
学习了

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20楼
lumiao827| | 2014-2-10 08:59 | 只看该作者
学习了

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