《分享我的PSoC技术开发和应用》内部EEPROM

只看该作者 · 2013-3-24 21:14

SoC EEPROM存储器是按字节寻址的非易失性存储器。CY8C38 提供了高达 2 KB 的 EEPROM 存储器来存储用户数据。对 EEPROM 的读访问是按字节进行的随机访问。读访问直接进行；写访问则通过向 EEPROM 编程接口发送写指令来进行。在EEPROM 写访问期间，可以继续从闪存执行 CPU 代码。EEPROM 的擦除和写操作是以行为单位进行的。EEPROM 共有128 行，每行有 16 个字节。CPU 不能在 EEPROM 空间内执行代码。没有任何 ECC 硬件与EEPROM 相关联。如果需要 ECC，必须在固件中对其进行处理。
1首先我们放置EEPROM模块。

2 我们参考EEPROM的API函数

其中前面3个函数针对ES3系列的，我们这里用不着，只用后面的函数。

由于没有通过读函数，我们这里通过读寄存器的方法：

RegPointer = (reg8 *)CYDEV_EE_BASE;

只看该作者 · 2013-3-24 21:14

主函数是
void main()
{
uint16 Index;
reg8 * RegPointer;
static uint8 TestData1[SIZEOF_EEPROM_ROW] = "0123456789ABCDEF";
cystatus eraseStatus;
cystatus writeStatus;
//int err = 0;
//EEPROM_Start();
/* Erase all sectors. */
for(Index = 0; Index <= EEPROM_NUMBER_SECTORS; Index++)
{
   eraseStatus = EEPROM_EraseSector(Index);
}

/* Check that all EEPROM is zero. */
RegPointer = (reg8 *)CYDEV_EE_BASE;
for(Index = 0; Index < EEPROM_EEPROM_SIZE; Index++) // check for whole EEPROM
{
   if(RegPointer[Index] != 0)
   {
         LEDs_Write(0XFE);//LED1_ON
   }
}

/* Write "0123456789ABCDEF" to EEPROM row 0 */
writeStatus = EEPROM_Write(TestData1, 0);

/* Check Data. */
RegPointer = (reg8 *) CYDEV_EE_BASE;
for(Index = 0; Index < SIZEOF_EEPROM_ROW; Index++)
{
      if(TestData1[Index] != RegPointer[Index])
      {
      LEDs_Write(0XFD);//LED2_ON
      }

}

if(eraseStatus == CYRET_SUCCESS && writeStatus == CYRET_SUCCESS)
{
      //CharLCD_1_Position(1, 0);
   //CharLCD_1_PrintString("EEPROM TEST PASSED");
   LEDs_Write(0XF7);//LED4_ON
}
else
{
      //CharLCD_1_Position(1, 0);
   //CharLCD_1_PrintString("EEPROM TEST FAILED");
   LEDs_Write(0XFB);//LED3_ON
}
for(;;)
{
}
}