NPN集电极和发射机接反会怎么样？

2013-3-27 08:40

下面的三极管处于倒置状态，非常容易饱和（饱和电流小），实际使用的时候BE之间很容易击穿。
要具体分析原因的话要从三极管的三个级的不同构造来分析。 E级掺杂浓度高，C级接触面积大因而饱和时能接受大量电子。如果倒置的话E级接触面积相对较低，不能接受大量电子因而饱和电流小。

2013-3-27 14:00

Lgz2006 发表于 2013-3-27 07:23
先把正常接法玩好了再说吧

可能是我没有表述清楚，我的意思是饱和时允许通过的CE的最大电流比较小。

2013-3-28 08:42

Lgz2006 发表于 2013-3-27 16:53
除反向贝塔，反向耐压明显降低外，反向饱和压降，反向穿透电流等也有所降低
你的“饱和时允许通过的CE的 ...

指的是方框中的这个电流值

2013-3-28 09:24

Lgz2006 发表于 2013-3-28 08:54
关于Icm,
若以结特性失效定义，因通常Ic≈Ie，必Icm=Iem.反向应用何来“允许通过的CE的最大电流比较小” ...

由于三极管倒置时放大系数小，所以如果要达到Icm的话Ib肯定会很大，而由于bc之间的接触面积大，基区又薄，很容易击穿损坏。这是我的理解，您怎么看？

2013-3-29 19:06

Lgz2006 发表于 2013-3-28 09:27
Ib再大，（功耗）亦忽略不计；“接触面积大，基区又薄，很容易击穿损坏”——完全的想当然，丝毫没有依据 ...

饱和时Vbe是0.7v,Ib大了功耗怎么可以忽略不记呢

2013-4-10 09:15

Lgz2006 发表于 2013-3-28 09:27
Ib再大，（功耗）亦忽略不计；“接触面积大，基区又薄，很容易击穿损坏”——完全的想当然，丝毫没有依据 ...

我说啥您都说我不对，那请您给讲讲为啥三极管处于倒置状态时，容易被击穿吧

2013-4-10 10:34

Lgz2006 发表于 2013-3-28 09:27
Ib再大，（功耗）亦忽略不计；“接触面积大，基区又薄，很容易击穿损坏”——完全的想当然，丝毫没有依据 ...

基区薄和击穿没有关系吗？那您给说说倒置的情况下是怎么击穿的呗~