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请教三极管以及运方问题。

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楼主
kevinleez|  楼主 | 2007-4-24 21:18 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本人正在使用一个开关电源中用到的芯片TL431,看了资料,想具体了解内部构造,可是看了内部构造,不是很理解。
有了解的可以帮我分析一下这个电路吗?我从内部构造中看不出哪里是形成2.5v的参考电压的,以及各个三极管的作用是否也可以帮忙分析一下。

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沙发
keaiduoyu| | 2007-4-24 21:47 | 只看该作者

我是初学者

看不懂请高手讲解下

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板凳
kevinleez|  楼主 | 2007-4-25 19:58 | 只看该作者

有高手可以解释一下吗?

有高手吗?

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地板
maychang| | 2007-4-25 20:40 | 只看该作者

记不清楚了

好像2.5V基准是由电流镜(2.4k和7.2k电阻下面的两个三极管)和某个电阻产生的。好像是叫能隙基准源。

请高人指点。

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5
awey| | 2007-4-25 22:54 | 只看该作者

楼主如果是搞应用电子的,应将精力放在器件的外部特性上

内部电路是搞IC设计的人关注的。

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6
xwj| | 2007-4-26 00:10 | 只看该作者

同意LS,刚开始应该从简单的入手。不能一口吃成大胖子,否则




先解了你这个惑吧:
带隙基准电压源的原理


带隙基准电压源的基本原理是:利用双极性晶体管的基极-发射极电压VBE(具有负温度系数)与它们的差值VBE(具有正温度系数)进行相互补偿,从而达到电路的温度系数为零的目的。

                       
        图1 带隙基准电压产生原理图                      图2  基准电压源电路

如图1所示,其运算放大器的作用是当电路处于深度负反馈的情况下,使X、Y 两点的电压相等。此时若R1=R2,则I1=I2,并满足:
VBE1=VBE2+I2R3                      (1)                    
I1=I2=(1/R3)(VBE1-VBE2)=(1/R3)VTlnn  (2)
VOUT=VBE1+I1R1=VBE1+(R1/R3)VTlnn     (3)

VOUT即可作为基准电压。从(3)式可知,基准电压只与PN结的正向压降、电阻的比值以及Q1和Q2的发射区面积比有关,而与输入电压无关,所以,在实际的工艺制作中将会有很高的精度。第一项VBE1具有负的温度系数,在室温时大约为-2mV/℃;第二项VT具有正的温度系数,在室温时大约为+0.085mV/℃,通过设定合适的工作点,可以使两项之和在某一温度下达到零温度系数,从而得到具有较好温度特性的基准电压。适当选取R1、R3和n的值,即可得到具有零温度系数的输出电压VOUT

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