MOSFET做高速开关，这样电路可以吗？

只看该作者 · 2013-7-14 13:41

红外发射比较常见的是让硬件产生持续的快速脉冲信号用单片机来控制脉冲信号软件实行也相对简单些
欢迎大侠们轻拍

只看该作者 · 2013-7-14 18:11

可以的

只看该作者 · 2013-7-14 22:38

1us对应1MHz的开关速度，不低了。如果简单驱动，怕是不行。因为1）MOSFET的输入电容影响；2）MOSFET的DS间电容影响。还是以试验一下更好。

3万 · 2013-7-14 22:52

jiayou0054 发表于 2013-7-14 22:38
1us对应1MHz的开关速度，不低了。如果简单驱动，怕是不行。因为1）MOSFET的输入电容影响；2）MOSFET的DS间 ...

注意此图。这是NDS335驱动电荷曲线，几乎所有功率MOS管datasheet都提供此参数。

该图可以直接读出每次动作(导通或关断)所需要的电量，乘以频率再乘以2就是平均驱动电流。
图中还可以清楚地看出米勒电容的影响。

只看该作者 · 2013-7-15 08:40

maychang 发表于 2013-7-14 22:52
注意此图。这是NDS335驱动电荷曲线，几乎所有功率MOS管datasheet都提供此参数。

该图可以直接读出每次动 ...

请大侠详解，如何看出来的

只看该作者 · 2013-7-15 12:03

maychang 发表于 2013-7-14 22:52
注意此图。这是NDS335驱动电荷曲线，几乎所有功率MOS管datasheet都提供此参数。

该图可以直接读出每次动 ...

请问0.5~2.2nc左右那一段是不是就是米勒平台区？该段电流恒流？

3万 · 2013-7-15 12:10

本帖最后由 maychang 于 2013-7-15 12:11 编辑

coolmat 发表于 2013-7-15 08:40
请大侠详解，如何看出来的

该图横坐标为电量，纵坐标为电压。
由电容定义可知：电容充入电量与电容两端电压成正比，其比值即为电容量。
图中，一条直线即表示电压随电量的变化，直线斜率的倒数即电容量。
图中从0～1，斜率较大，表示随充入电量增加电容两端电压增加较快，即电容量较小。在这一阶段，MOS管尚未导通，处于截止区。此电容量是MOS管GS之间与GD之间电容量之和。
从1～2，斜率很小，曲线几乎是水平的，随充入电量增加电容两端电压几乎没有增加，表示电容量非常大。在1点，MOS管开始导通(可以读出开启电压为1.5V)，管子进入恒流区(放大区、饱和区)，米勒效应开始产生作用。
从2～3，斜率又变大，表示随充入电量增加电容两端电压增加较快，即电容量较小。在此阶段，MOS管进入可变电阻区(相当于BJT的饱和区)，漏极与源极之间电压变化不大，米勒效应较小，所以等效的MOS管输入电容变小。但MOS管处于可变电阻区时并非一点放大作用也没有(这一点和MOS管截止时不一样)，所以斜率比0～1阶段要小一些。
从图中可以读出对应于某一峰值驱动电压所需要的驱动电量。如红色虚线，3V峰值驱动电压需要对门极充入4.6nC(纳库)电量。
当输入电压从峰值降低到零(驱动脉冲下降沿)，输入工作点从3～2～1～0返回，电容放电，放电电量当然与充电电量相同。
这是一个驱动脉冲的充电电量，乘以频率等于除以周期，即平均充电电流，再乘以2，是充电电流与放电电流平均值(严格地说是均绝值)之和。