请教H桥自举驱动原理

只看该作者 · 2014-1-14 15:55

请教下面这个图上管驱动是怎样实现自举的？

2万 · 2014-1-14 16:21

本帖最后由 gx_huang 于 2014-1-14 16:23 编辑

方波信号通过电容、二极管升压整流。
这里有2路方波。
搞清楚电容的充放电、二极管的钳位、整流，就知道如何升压了。

只看该作者 · 2014-1-15 19:35

能说说自举的具体过程吗？

2万 · 2014-1-15 20:07

YEO 发表于 2014-1-15 19:35
能说说自举的具体过程吗？

以C2/D1/D2/C1为例，假设二极管是理想的：
1、C2左边接地时，由于D2的钳位，C2右边是12V
2、C2左边是V+时，假如D1开路，则C2右边是V+加上12V
3、C2通过D1对C1充电，C1最终是(V+) +12V

只看该作者 · 2014-4-5 15:08

gx_huang 发表于 2014-1-15 20:07
以C2/D1/D2/C1为例，假设二极管是理想的：
1、C2左边接地时，由于D2的钳位，C2右边是12V
2、C2左边是V+时 ...

c2左边何时为接地，何时为V十?

只看该作者 · 2014-4-6 20:18

还是不懂原理，哪位大侠可怜一下

1万 · 2014-4-6 20:38

首先纠正，它不叫“自举”，该叫“泵”
对照4楼看下图，再不明白就该打屁屁

只看该作者 · 2014-4-7 01:21

Q3是怎么样导通的?

只看该作者 · 2014-4-7 12:59

+12V为四个MOS管的栅极驱动电源。
Q1/Q2组成H桥左上桥臂推挽驱动。
当Q1/Q2的基极为高电平时，Q1导通，+12V电压经过D2、D1、Q1到达Q3栅极，Q3导通，
按H桥工作原理，Q3的对角管，就是右下脚那个MOS应开通，此时电机绕组得电运转。
当电机绕组得电时，+V压降几乎全加在电机绕组上，此时Q3的S极电势变为+V（忽略Q3自身导通压降）；
好了，这里MOS的导通栅源电压用+12V，如果+V电压比较高，打个比方+48V，则此时加在Q3的源极电压比栅极电压还要高，
Q3无法持续导通。
为了解决这个问题，引入了自举电容C2，在电机得电时，C2左则与Q3源极相连处的电势被抬高至接近+V电平，由于C2两端电压不能突变，此时Q1的集电极电压被抬升至接近12V+(+V)，同样忽略通路上的各管压降。
这样由Q1供给Q3的栅极驱动电平仍要比源极电势高出约+12V，Q3这个MOS就可以继续导通了。这个过程就是上桥栅极自举过程。
另一个管子D2就在栅极自举时，防止抬升的电压反灌回+12V电源。
楼主可以去仙童或者TI的网站上找**看看，网上搜mosfet bootstrap，啥都有。