这个电路想了半天还是不明白

只看该作者 · 2007-7-16 10:59

小弟在网上查了个电路，但是看不懂，望各位大侠帮忙，它文字部分是这样说的：
OP07运算放大器的输入失调电压低，输入偏置电流小，开环增益高。这些特性使这种运算放大器非常适合用于高增益仪器系统。此外，OP07的失调和增益具有极好时间稳定性和温度稳定性。LM356级的交流增益取决于R3、R4、R7和R9，大约为100。
MTP2P50E型高压 p沟道MOSFET的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为500V。BUK456800B型高压n沟道MOSFET的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为800V。Q1～Q6都是PMOS晶体管，Q7～Q12均为NMOS晶体管。这些场效应管非常适合用于高压级联电路。它们对称地串联连接起来，以提高它们适用于电源系统的总击穿电压。偏压电路由成对独立的偏置电阻器R10～R13和R14～R17组成，从而形成了高压放大器的对称输出。图2示出了峰－峰电压为8V p-p、频率为100 Hz的正弦输入信号以及峰－峰电压为1800V p-p的输出信号。图3示出了峰－峰电压为750 mV p-p、频率为2 kHz的正弦输入信号和峰－峰电压为200V p-p的输出信号。该电路的总功率带宽是200kHz。

只看该作者 · 2007-7-16 11:01

只看该作者 · 2007-7-16 11:02

3万 · 2007-7-16 11:04

不明白你什么地方不明白。

4万 · 2007-7-16 11:30

只看该作者 · 2007-7-16 14:52

后面这十二个三极管的功能不太懂，以及这个电路能实现他所说的功能么，还请大家赐教！

2万 · 2007-7-16 17:24

只看该作者 · 2007-7-16 17:30

Q5,Q6,Q11,Q12好象不能同时导通，要么反着用，要么在正负半周各自导通。

只看该作者 · 2007-7-16 18:20

1，高压电源电压不对。上边1000V,下边11000V，显然错误。要输出1800V峰-峰电压，必须有正负1800V以上的电源。
2，Q5旁边的辅助电源电压应该是-12V。
3，Q1、R26交叉点应该有接点，Q10、R35也应该有接点。Q11、Q12之间的那个接点则不应该有。
电容的单位mF也不知道有没有写错。

电路的工作原理大致是，Q5、Q6是串级共栅放大器，在R19上获得输出电压，该电压又成为Q10的栅极输入电压，Q7、8、9、10是串级共源放大器，电阻R31、32、33、34起均压作用，使得高压由四个管子大致均匀地承担。上半边的Q1、2、3、4和Q11、12作用原理与下半边相同。上半边负责输出正半周，下半边负责输出负半周，整个输出电路工作在乙类推挽状态。

原文说“LM356级的交流增益取决于R3、R4、R7和R9，大约为100。”我觉得与R7、R9关系不大，主要由R3、R4、R5、R6、C2决定。

4万 · 2007-7-16 23:15

光看Q6、Q11的栅源极的电压就不对，哪有承受千伏电压的？

只看该作者 · 2007-7-17 17:06

九楼的tuwen能不能留个联系方式阿，qq什么的，很想把这个电路搞清楚

只看该作者 · 2007-7-18 11:43

9楼所说的电源电压有错，应该是：要输出1800V峰-峰电压，必须有正负900V以上的电源。从图中的情况来看，实际用的应该是正负1000V电源。

先把我认为应该作的修改后的电路贴出：

共栅放大器的输入端是LF356的输出端，该点电压可以认为是在0V附近（相对于高压而言），所以共栅级需要承受的电压约为1000V，用两级串接可以满足要求。共源放大器的输出端电压是正负900V，所以需要承受约1900V的电压，必须用四级串接才能满足耐压的要求。

静态工作点的分析（仅上半部）：
R10、11分压器与源极电阻R22用于设置Q11、Q12的漏-源工作电流。假定场效应管的栅-源门限电压为3V，R11上的分压值是6V，可知R22上的压降应该是略小于3V。由此可以推算出Q11、Q12的静态电流接近0.3mA。由于R25=R22，所以R25上的压降也是略小于3V。R25上的压降就是共源放大级Q1的栅-源电压。由此可知，共源放大器Q1、Q2、Q3、Q4处于截止-导通的边缘状态。整个输出级工作在乙类推挽状态。
R14、R15决定了Q11、Q12承担的电压大致各占一半。电阻R27、R28、R29、R30决定Q1、Q2、Q3、Q4各承担约1/4的电压。图中的R26、R35其实没有用处。D1我也看不出有什么用处。

共栅级是同相放大，共源级是反相放大。因此整个MOS管电路是反相放大器。R37、R22是负反馈电阻，根据这两个电阻的阻值，可以算出整个MOS放大器的放大倍数是3M/10K=-300。

这样，我们就可以把整个MOS管电路看成是一个放大倍数为-300的高压放大器。
全部电路就可以画成以下的形式：

LF356有两路负反馈。一路是通过R4、R5、R6、C2的大环路负反馈，另一路是R9、R8、C1的小环路负反馈。为什么要有这个小环路的负反馈，我也说不清楚，猜想是与抑制自激振荡有关。象这样的大环路负反馈是比较容易产生自激振荡的，C1、C2的作用应该都是为了这个目的。

只看该作者 · 2007-7-18 18:04

tuwen，看了您的好受启发，也很感谢您，还是想让您留个联系方式，详细向您请教一下。

只看该作者 · 2007-7-19 21:54

tuwen你好：
本人模电不是很精通，关于这个电路还有几点请教您：
1.Q5、Q6组成的串级共栅放大器和Q7、8、9、10组成的串级共源放大器的放大倍数是多少，该如何计算？
2.R31--35是否也应为3M，要不然上下不匹配，静态时输出不为0吧？
3.Q5旁边的辅助电源电压应该是-12V吧，这个在您新作的电路图里没有体现出来？
4.如果按您改的电路应该能实现他原来说的功能吧？
哈，问题可能有点弱，多谢您帮忙？

只看该作者 · 2007-7-20 15:46

1，开环条件下的共栅放大器和共源放大器的放大倍数：
   Q5、Q6的放大倍数，以LF356输出端为输入，以R19上的电压为输出，放大倍数等于R19/R21=1，这是因为从Q5源极看进去的等效电阻接近0，而整个串级电路上的漏-源电流从R21到R19的电流都是相等的。
  Q7、8、9、10的放大倍数，以Q10的栅-源电压为输入，以Q7漏极为输出，放大倍数等于G*RL，G为Q10的跨导，RL为负载电阻。RL应该把R25-30、R31-35以及R36、37、38、39、40和外接负载电阻都计算进去。在空载时，这个放大倍数是非常大的。

2，原图中R31-35与R26-30不同，不知道是什么原因。但因为电路中存在直流负反馈，对静态输出电压不会有很大的影响。

3，12楼的图是疏忽了这点，现已改正。

4，“如果按您改的电路应该能实现他原来说的功能吧？”
   这我不敢打保票，在没有实际试验之前，很难说会不会出现其它未料到的问题。

只看该作者 · 2012-3-15 12:15

恩不错

只看该作者 · 2012-3-16 17:04

努力学习

这个电路想了半天还是不明白

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跟图

图2

？

电路有问题，看看Q6、Q11的栅源极的电压

三极管的工作情况不太懂

共栅共源电路，带有负反馈罢了

不懂

电路图有几处错误

下面应该是-1000V

请教

再作一些分析

感谢

请教

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