掉电存参数到内部flash

发表于 2014-5-15 19:50

找不到

发表于 2014-5-15 19:50

http://www.mcusy.cn/Article.asp?id=1699460

发表于 2014-5-15 19:51

LZ需要根据您的系统以及电源部分参照施行。

发表于 2014-5-15 19:52

这个应该是最简单的了吧？

发表于 2014-5-15 19:53

此方案不可靠;除非失败的后果影响不大;

发表于 2014-5-15 19:53

重要的数据要实时保存;无论是否掉电;

发表于 2014-5-15 19:55

好的，多谢啦

发表于 2014-5-15 19:55

结贴了哈

发表于 2014-5-15 23:03

供电要有比较大的电容，这样掉电下降的没那么快。检测掉电应该测试电源入口。
比如你5V转3.3V的供电，你测试5V输入低于4V就开始做掉电处理了。这时候你的3.3V芯片还能工作一下子。

耗电的东西不要与主控芯片电路共电源。

发表于 2014-5-16 17:40

MCU内部的flash写入次数是有寿命的, 以82G516的规格来说是2万次, 假如经常有资料要写入是要考虑寿命问题.

发表于 2014-5-21 09:14

学习一下