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掉电存参数到内部flash

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楼主: spark周
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21楼
shimx| | 2014-5-15 19:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
找不到

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22楼
spark周|  楼主 | 2014-5-15 19:50 | 只看该作者
http://www.mcusy.cn/Article.asp?id=1699460

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23楼
spark周|  楼主 | 2014-5-15 19:51 | 只看该作者
LZ需要根据您的系统以及电源部分参照施行。

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24楼
lizye| | 2014-5-15 19:52 | 只看该作者
这个应该是最简单的了吧？



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25楼
jiahy| | 2014-5-15 19:53 | 只看该作者
此方案不可靠;除非失败的后果影响不大;

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26楼
jiahy| | 2014-5-15 19:53 | 只看该作者
重要的数据要实时保存;无论是否掉电;

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27楼
shimx| | 2014-5-15 19:55 | 只看该作者
好的， 多谢啦

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28楼
shimx| | 2014-5-15 19:55 | 只看该作者
结贴了哈

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29楼
江枫渔火| | 2014-5-15 23:03 | 只看该作者
供电要有比较大的电容，这样掉电下降的没那么快。检测掉电应该测试电源入口。
比如你5V转3.3V的供电，你测试5V输入低于4V就开始做掉电处理了。这时候你的3.3V芯片还能工作一下子。

耗电的东西不要与主控芯片电路共电源。

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30楼
slotg| | 2014-5-16 17:40 | 只看该作者
MCU内部的flash写入次数是有寿命的, 以82G516的规格来说是2万次, 假如经常有资料要写入是要考虑寿命问题.

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31楼
gxliu08| | 2014-5-21 09:14 | 只看该作者
学习一下

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