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简要描述： 此应用仿真了H桥的驱动原理，由于空间有限，这里只仿真了半桥。半桥分为上桥和下桥。上桥为高边驱动，下桥为低边驱动。高边驱动和低边驱动的电路不同，高边需要自举电容来抬升驱动电压，这个是关键。 如下图所示，左边部分为模拟方波产生（由于EasySim没有直接的方波发生，所以用比较器搭了一个1KHZ的0~5V方波发生器）。 上桥驱动原理，当Q1的基极为高电平时，Q1导通；此时Q2的基极电压小于发射极电压，Q2导通；通过二极管D2驱动MOS管工作；当MOS导通时，通过自举电容C3（此处使用点解电容或者钽电容（容量大））将驱动端（D1后端的电压）抬升至24V+14.6V，保证MOS管的栅极和源极有15V左右的压降，维持MOS管导通。 当Q1的基极为0V时，Q1截止，Q2基极电压等于发射极电压，Q2截止，此时MOS管停止工作。栅极电压通过三极管Q3和电容C2放电。 下桥驱动原理，比较简单，这里就不做赘述了。
过流保护电路，注意上图的H桥下桥MOS管的地和电源地不同，此地通过50mΩ采样电阻和电源地共接，通过采集电阻上的电流来监测驱动电流和实施过流保护。 过流保护电路如下图所示，通过将采样电压放大采集，再经过比较器对驱动电路控制，实现闭环监控。
仿真结果。
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