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开关电源的可靠性热设计

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楼主: 51xlf
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51xlf|  楼主 | 2014-8-19 23:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
功率器件的驱动损耗
功率器件在开关过程中消耗在驱动控制板上的功率以及在导通状态时维持一定的栅极电压、电流所消耗的功率称为开关器件的驱动损耗.一般情况下,这部分的功率损耗与器件的其他部分损耗相比可以忽略不计,但对于GTO、GTR等通态电流比较大的功率器件则需要特殊考虑.
根据变压器二次侧整流二极管的平均电流可以估算其通态损耗为
PDon=IDmax×UD
式中UD取二极管在流过峰值电流时的通态压降.
二极管的开关损耗可以按下式估算:
PDS=(eon+eoff)fs
式中eon和eoff 为每次开通和关断耗散的开关能量;fs为电路的开关频率.根据经验,按通态损耗的1.5~2倍估算.
根据二极管的损耗功率和器件的结温上限以及环境温度的上限,可以计算出允许的散热热阻的上限为
RthJ-C+ RthC-A≦(TJM-TAM)/(PDon+PDS)
式中RthJ-C为二极管的结壳热阻;RthC-A为散热器的热阻;TJM为二极管允许的最高结温;TAM为技术要求中环境温度的上限.
二极管的结壳热阻加散热器的热阻不能超过上式给出的上限,这是选取二极管及其散热器的依据.

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51xlf|  楼主 | 2014-8-19 23:21 | 只看该作者
根据变压器一次侧开关器件的平均电流可以估算其通态损耗为
PSon=ISmax×US
式中US取开关器件在流过峰值电流时的通态压降.对于MOSFET等单极型器件,应采用其通态电阻和流过其沟道的电流有效值计算通态损耗,对于IGBT、GTR等双极型器件,应采用其饱和压降乘以通态平均电流计算通态损耗.
开关器件的开关损耗可以按下式估算:
PSS=(eon+eoff)fs
式中eon和eoff 为每次开通和关断耗散的开关能量;fs为电路的开关频率.根据经验,按通态损耗的1~1.5倍估算.
根据开关器件的损耗功率和器件的结温上限以及环境温度的上限,可以计算出允许的散热热阻的上限为
RthJ-C+ RthC-A≦(TJM-TAM)/(PSon+PSS)
式中RthJ-C为开关器件的结壳热阻;RthC-A为散热器的热阻;TJM为开关器件允许的最高结温;TAM为技术要求中环境温度的上限.
开关器件的结壳热阻加散热器的热阻不能超过上式给出的上限,这是选取开关器件及其散热器的依据.详见杨旭等著,开关电源技术相关部分内容.
如MOSFET IRFP22N50A热特性:

如IGBT IRG4PC50F热特性:

如输出整流双二极管FFA15U40DN热特性:

如输出整流双二极管BYV255V热特性:
         
功率器件热设计
由于半导体器件所产生的热量在开关电源中占主导地位,其热量主要来源于半导体器件的开通、关断及导通损耗.从电路拓扑方式上来讲,采用零开关变换拓扑方式产生谐振使电路中的电压或电流在过零时开通或关断可最大限度地减少开关损耗但也无法彻底消除开关管的损耗故利用散热器是常用及主要的方法.
功率器件热设计是要防止器件出现过热或温度交变引起的热失效,可分为器件内部芯片的热设计、封装的热设计和管壳的热设计以及功率器件实际使用中的热设计.其主要关系如图所示.
对于一般的功率器件,在生产工艺阶段,就要充分考虑器件内部、封装和管壳的热设计,当功率器件功耗较大时,依靠器件本身的散热(芯片、封装及管壳的热设计)并不能够满足散热要求.功率器件结温可能会超出安全结温,此时需要安装合适的散热器,通过散热器有效散热,保证器件结温在安全结温之内且能长期正常可靠的工作.

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51xlf|  楼主 | 2014-8-19 23:21 | 只看该作者
合理选取散热器
功率器件使用散热器是要控制功率器件的温度,尤其是结温Tj,使其低于功率器件正常工作的安全结温,从而提高功率器件的可靠性.功率器件散热器随着功率器件的发展,得到了飞速发展,常规散热器趋向标准化、系列化、通用化,而新产品则向低热阻、多功能、体积小、重量轻、适用于自动化生产与安装等方向发展.合理地选用、设计散热器,能有效降低功率器件的结温,提高功率器件的可靠性.
各种功率器件的内热阻不同,安装散热器时由于接触面和安装力矩的不同,会导致功率器件与散热器之间的接触热阻不同.选择散热器的主要依据是散热器热阻RTf.在不同的环境条件下,功率器件的散热情况也不同.因此选择合适散热器还要考虑环境因素、散热器与功率器件的匹配情况以及整个电子设备的大小、重量等因素.
功率器件热设计和散热器优化设计
功率器件热设计和散热器优化设计方案示于图2.首先根据功率器件正常工作时的性能参数和环境参数,如环境温度、器件功耗和结温等,计算功率器件结温是否工作在安全结温之内,判断是否需要安装散热器进行散热,如功率器件需安装散热器进行散热,计算相应的散热器热阻,初选一散热器;重新计算功率器件结温,判断功率器件结温是否在安全结温之内,所选散热器是否满足要求;对于符合要求的散热器,应根据实际工程需要进行优化设计.

12 模块电源的热设计
目前国内市场使用模块电源的国外模块主要供应商为VICOR、ASTEC、LAMBDA、ERICCSON以及POWER-ONE,国产模块主要的供应商有中兴、新雷能、迪赛、24所等.为实现高功率密度,在电路上,早期采用准谐振和多谐振技术,但这一技术器件应力高,且为调频控制,不利于磁性器件的优化.后来这一技术发展为高频软开关和同步整流.由于采用零电压和零电流开关,大大降低了器件的开关损耗,同时由于器件的发展,使模块的开关频率大为提高,一般PWM可达500kHz以上.大大降低了磁性器件的体积,提高了功率密度.

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51xlf|  楼主 | 2014-8-19 23:21 | 只看该作者
模块电源工艺发展方向如下:
1)降低热阻,改善散热
为改善散热和提高功率密度,中大功率模块电源大都采用多块印制板叠合封装技术,控制电路采用普通印制板置于顶层,而功率电路采用导热性能优良的板材置于底层.早期的中大功率模块电源采用陶瓷基板改善散热,这种技术为适应大功率的需要,发展成为直接键合铜技术(Direct Copper Bond,DCB),但因为陶瓷基板易碎,在基板上安装散热器困难,功率等级不能做得很大.后来这一技术发展为用绝缘金属基板(Insutalted Mental Substrate,IMS)直接蚀刻线路.最为常见的基板为铝基板,它在铝散热板上直接敷绝缘聚合物,再在聚合物上敷铜,经蚀刻后,功率器件直接焊接在铜上.为了避免直接在IMS上贴片造成热失配,还可以直接采用铝板作为衬底,控制电路和功率器件分别焊于多层(大于四层,做变压器绕阻)FR-4印制板上,然后把焊有功率器件的一面通过导热胶粘接在已成型的铝板上固定封装.不少模块电源为了更利于导热、防潮、抗震,进行了压缩密封.最常用的密封材料是硅树脂,但也有采用聚氨酯橡胶或环氧树脂材料.后两种方式绝缘性能好,机械强度高,导热性能好,成为近年来模块电源的发展趋势之一,是提高模块功率密度的关键技术.
2)二次集成和封装技术
为提高功率密度,近年开发的模块电源无一例外采用表面贴装技术.由于模块电源的发热量严重,采用表面贴装技术一定要注意贴片器件和基板之间的热匹配,为了简化这些问题,最近出现了MLP(Multilayer Polymer)片状电容,它的温度膨胀系数和铜、环氧树脂填充剂以及FR4 PCB板都很接近,不易出现象钽电容和磁片电容那样因温度变化过快而引起电容失效的问题.另外为进一步减小体积,二次集成技术发展也很快,它是直接购置裸芯片,经组装成功能模块后封装,焊接于印制板上,然后键合.这一方式功率密度更高,寄生参数更小,因为采用相同材料的基片,不同器件的热匹配更好,提高了模块电源的抗冷热冲击能力.李泽***领导的CPES在工艺上正在研究IPEM(IntegratedPower Electronics Module),它是一种三维的封装结构,主要针对功率电路,取代线键合技术.
3)扁平变压器和磁集成技术
磁性元件往往是电源中体积最大、最高的器件,减小磁性元件的体积就提高了功率密度.在中大功率模块电源中,为满足标准高度的要求,大部分的专业生产厂家自己定做磁芯.而现有的磁性供应商只有飞利浦可以提供通用的扁平磁芯,且这种变压器的绕组制作也存在一定难度.采用这种磁芯可以进一步减小体积,缩短引线长度,减小寄生参数.CPES一直在研究一种磁集成技术,福州大学的陈为教授3年前在CPES研究了磁集成技术,他们做的一个样机是半桥电路,输出整流采用倍流整流技术,而且输出端的两个电感跟主变压器集成在一个铁芯里,最后达到的功率密度为300W/in3.倍流整流技术适用于输出电流大,对di/dt要求高的场合,比如在实现VRM的电路中就常常用这种整流电路.

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51xlf|  楼主 | 2014-8-19 23:21 | 只看该作者
12.1 散热考虑
所有的功率转换产品在运转时,由于内部功率消耗都将产生一些热量.在每一应用中都有必要限制这种“自身发热”,使模块外壳温度不超过指定的最大值.在下面介绍了DC-DC转换器外壳升温的大概过程.
1)可用的功率密度
绝大多数DC-DC转换器生产商都以产品的功率密度作为水准,来衡量产品的有效性.功率密度通常由瓦/立方英寸(W/in3)来表示.了解功率密度定义的条件是非常重要的.如果用户不能在规

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ql920a 2018-4-15 09:23 回复TA
相当读一本好书,谢谢 
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梦爱琴所| | 2014-8-20 21:10 | 只看该作者
楼主要出书吗??

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