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为什么VDS电压和输出二极管电压与计算值相差这么大?

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yytda|  楼主 | 2014-8-23 18:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
这两天正在看书,突然想起前段时间设计的一款120W反激电源,回想一下参数,觉得有点不对劲,输出24V,变压器初级36匝,次级11匝,匝比3.24,当时我什么都不会算,这些参数完全是凭感觉设定的,电源做好之后,输入直流350V,测VDS电压500V左右,输出二极管居然超过了150V,为了让变压器一次性打样成功,免于调整参数,我索性用了200V耐压的管子,但是现在我按书上公式算了一下,跟实际差别很大啊,假如忽略漏感,VDS峰值应该在428V,二极管应该在131V,实际是VDS峰值510V,二极管峰值160V,如果VDS电压升高可以归结于漏感的原因,那二极管峰值这么高,是什么原因呢?请指教

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沙发
yytda|  楼主 | 2014-8-23 18:27 | 只看该作者
本帖最后由 yytda 于 2014-8-23 18:47 编辑

说错了,匝比是3.27。
书上有两个设计示范例子,74W功率,分别是输出5V和输出12V,全电压输入的,MOS耐压600V,匝比分别是22.8和9.8,在实际应用中,我没有见过有人用这么大的匝比啊,用600V的管子真的可以吗?

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不亦心| | 2014-8-23 19:09 | 只看该作者
你说的理论计算值都是平台处电压,不包括尖峰电压。初级有漏感,次级一样有漏感,解决办法通常是尽量让变压器耦合紧密,比如三明治,初次级绕组尽量整层,初次级层数不易太多;然后就是合理优化吸收参数。
600VMOS够用了,当然高压输出为了追求高效率使用低压二级管,可以取高匝比,把电压应力转移到MOS上去,这时候就要MOS耐压高点。

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地板
yytda|  楼主 | 2014-8-23 20:03 | 只看该作者
不亦心 发表于 2014-8-23 19:09
你说的理论计算值都是平台处电压,不包括尖峰电压。初级有漏感,次级一样有漏感,解决办法通常是尽量让变压 ...

这个匝比的确可以,我做的第一款电源是12V6A输出的,匝比是8.75,这个匝比也算比较大了,二极管峰值不到60V,跟理论值相差不大。但是这个120W的二极管电压就跟理论值相差太远了,难道是因为这个电源次级匝数太多,导致漏感太大?
关于书上写的那么大的匝比,我感觉600V的MOS压力很大,因为我那个12V6A电源,RCD吸收回路用快恢复二极管的话,尖峰有560V,我用慢管,才将尖峰压到530V,也可能是我初级绕组漏感太大了

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