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超低压差CMOS线性稳压器

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楼主: i1mcu
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i1mcu|  楼主 | 2014-9-10 00:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
利用晶体管的VBE具有负温度系数的特性,将Q0作为测温元件,由M12、M13、M10、M5、和M4形成一比较器,M11、R1和R2组成分压 电路。在低于温度设定值时设计VGM12 VGM13,比较器反转,VGM3变为高电平,TOUT的输出为低电平,从而实现关断调整管。本电路的温度保护设定值为160℃,Hspice的模拟结果 如图6所示,图中×代表输出电压VOUT,⊙代表VGM12,Δ代表VGM13,负载电流为300mA.

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i1mcu|  楼主 | 2014-9-10 00:33 | 只看该作者

图6 输出电压随温度的变化(I0=300mA)

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i1mcu|  楼主 | 2014-9-10 00:33 | 只看该作者
3.5总体电路模拟结果

本电路采用韩国现代公司0.6μm工艺模型,通过Hspice对整体电路及各关键模块进行了模拟优化,典型工作条件下模拟结果如表1,输出电压随输入电压及温度的变化如图6、图7所示,模拟结果充分验证了设计的正确性。

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i1mcu|  楼主 | 2014-9-10 00:33 | 只看该作者


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i1mcu|  楼主 | 2014-9-10 00:33 | 只看该作者
4总结

本文分析讨论了低压差线性稳压器的工作特性及设计考虑,并给出了关键模块的电路设计图,HSPICE的模拟结果验证了电路具有良好特性,该电路采用标准CMOS工艺实现,具有较高的实用价值。

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