从公式10可以看出，磁场强度随导体与传感器之间的距离增加而减小。线性霍尔效应传感器将测量的磁场强度转换成电流或电压输出。传感器的增益以mV/G或mA/G表示。有些测量以特斯拉来表示该增益。1特斯拉等于10，000高斯。
假设流过一条走线（线中心与霍尔效应芯片的中心距离为0.03m）的电流为200A。那么霍尔效应芯片测到的磁场强度是多少？如果传感器的增益为5mV/G，那么传感器的输出电压是多少？
使用式中的关系可知，磁场强度为13.33G。电感器输出的计算结果等于66.67mV。
线性霍尔效应传感器是有源器件，工作电流为3mA-10mA。传感器的平均噪声级约为25mV或5G。因此在低电流或走线与传感器间距较大时，线性霍尔效应传感器并不是个好选择。
电流走线和传感器所在的环境对测量弱磁场具有重要影响。线性霍尔传感器测量的是测试位置的总的磁场强度。传感器附近的其他的电流走线会改变传感器所在位置的磁场，并最终影响测量的精度。另外传感器还会测量环境磁场的变化，开关型电动机或辐射能量的任何设备都可能引起环境磁场的变化。
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