AC开关损耗
除了DC传导损耗之外,还存在其他由非理想功率组件引起并与AC/开关操作相关的功率损耗。
1. MOSFET开关损耗。实际的晶体管其接通和关断需要时间。所以,在接通和关断瞬变期间存在电压和电流重叠,这会产生AC开关损耗。图10示出了同步降压型转换器中的MOSFET Q1的典型开关波形。顶端FET Q1的寄生电容器CGD之充电和放电以及电荷QGD决定了大部分的Q1开关时间和相关损耗。在同步降压转换器中,底端FET Q2的开关损耗很小,这是因为Q2始终在其体二极管导电之后接通,而在其体二极管导电之前则被关断,同时体二极管两端的电压降很低。然而,Q2的体二极管反向恢复电荷也会增加顶端FET Q1的开关损耗,并产生开关电压振铃和EMI噪声。(12)式表明:控制FET Q1的开关损耗与转换器的开关频率fS成比例。Q1的能量损耗EON和EOFF之准确计算并不简单,不过可以在MOSFET供应商的应用手册里找到。
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