打印

关于NMOS用法请教

[复制链接]
1673|9
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
kseeker|  楼主 | 2014-11-16 14:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 kseeker 于 2014-11-16 14:31 编辑

用途就是3.3V转5V,很基本的东西,电路如图:
https://bbs.21ic.com/forum.php?mod=attachment&aid=MzY1MDkwfGQ0NTI4YzNhYjZhYjU1ZDY3YzZmNWNmNWJiOTZlNzg1fDE3MzE1NjI5MDQ%3D&request=yes&_f=.png

现在搞不清楚的问题是,RD4和R10是否必要。原则上说,保险起见,这两个都加上当然好,不过如果能去掉也确实省不少事。
R10的作用应该就是限流,目前用类似的电路驱动液晶屏背光,不加R10倒是能正常用。当然背光切换不会很频繁,而用作一般数据传输的话,可能会以几K到1M之间的频率开关,时间长了会不会出问题,可能性有多大?
个人理解,这个问题应该与NMOS的电容以及IO口的上升/下降速度有关。按照单片机应用常见的情况(几兆到几十兆的频率),IO允许电流不超过10毫安,通过NMOS的电流不超过几十毫安,有没有简单的结论?
另外,对于RD4,如果设备一上电就给IRQ3V一个确定的电平,并且信号线很短(最多几厘米),是否可以去掉RD4。




未标题-1.png (9.21 KB )

电路

电路

相关帖子

沙发
mmuuss586| | 2014-11-16 14:34 | 只看该作者

下拉电阻最好加一个,你看很多半桥驱动芯片,内部都会集成下拉电阻;
你啥都不接,手放在附近,有可能会误导通;

使用特权

评论回复
板凳
kseeker|  楼主 | 2014-11-16 15:26 | 只看该作者
mmuuss586 发表于 2014-11-16 14:34
下拉电阻最好加一个,你看很多半桥驱动芯片,内部都会集成下拉电阻;
你啥都不接,手放在附近,有 ...

我是这么想的:
正常工作时,单片机会给出一个确定的控制信号,这时即使没有下拉电阻也应该是可靠的,不会出现误导通,毕竟单片机接口输出低时的电阻是非常小的。如果单片机休眠,用于控制的信号脚被浮空,但设备仍然上电,那误导通确实是个问题,比如背光自己亮了,喇叭自己响了什么的。
但如果设备和单片机同步的上电,这又是一个输入信号,情况就不太一样。因为在单片机初始化完毕前,一般不关心导通与否。比如这里用于将中断信号从3V转5V,单片机启动完毕前是不会读取5V的IRQ信号的。只是IO口初始化完毕前,IRQ_5V的引脚处于浮空输入状态并被接入一个不确定的电平。这肯定是不好的,但个人觉得,这种情况在启动过程中应该是比较常见的,应该不至于出什么问题。
断电后,不加下拉电阻,整根信号线好像就浮空了。但毕竟信号线另一头接着单片机,这种情况算是浮空吗?会使得系统更容易受损吗?

使用特权

评论回复
地板
zyj9490| | 2014-11-16 16:51 | 只看该作者
本帖最后由 zyj9490 于 2014-11-16 16:53 编辑

输入接的是MCU端口,采用PP,或OD完全可以取消RD4,R10的作用是为了防振铃,要保持,对前级来说是容性负载,加上线上的电感,产生振铃。加R10,降低Q值,平稳过渡。这里我没有考虑糸统启动时要求的确定的状态的情况。

使用特权

评论回复
评分
参与人数 1威望 +3 收起 理由
kseeker + 3
5
kseeker|  楼主 | 2014-11-16 17:22 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2014-11-16 16:51
输入接的是MCU端口,采用PP,或OD完全可以取消RD4,R10的作用是为了防振铃,要保持,对前级来说是容性负载 ...

谢谢你解释。
关于下拉电阻,PP可以理解,但OD的情况下应该配合上拉电阻用吧?
关于R10,以前我看的解释都是用于限流,没有提到振铃的问题。
从防振铃的方面考虑,R10一般应该多大比较好?
从振铃角度考虑的话,R10相当于用来阻抗匹配吧?如果速度不高,还需要考虑振铃吗?我接触的频率最高的是液晶屏的信号线,大概几十M,没有考虑过振铃的问题,工作暂时没发现问题。市面上的开发板在这个频率下也没见到加电阻的。
这次用到NMOS来转换电平,一个是SPI的MISO线,工作在9M以下,一个是偶尔发生的中断信号,MCU在16M工作,还要花好几个周期进中断函数。信号线长度只有几个厘米,在采样时信号应该是肯定能稳定下来。还需要考虑振铃吗?
目前最关心的是有没有损坏器件的可能。我的应用里偶尔死机或数据出个错还可以接受,但烧了原件就不好了。

使用特权

评论回复
6
zyj9490| | 2014-11-16 17:28 | 只看该作者
kseeker 发表于 2014-11-16 17:22
谢谢你解释。
关于下拉电阻,PP可以理解,但OD的情况下应该配合上拉电阻用吧?
关于R10,以前我看的解释 ...

OD是必须要加上拉电阻的,如果上M的信号一般不会OD来驱动MOS管的,那个电阻以100欧为上限为佳,在低压下不会损坏器件的,最多是数据错误而已(高速状况下)。

使用特权

评论回复
评分
参与人数 1威望 +3 收起 理由
kseeker + 3
7
mmuuss586| | 2014-11-16 19:10 | 只看该作者
kseeker 发表于 2014-11-16 15:26
我是这么想的:
正常工作时,单片机会给出一个确定的控制信号,这时即使没有下拉电阻也应该是可靠的,不 ...

MCU刚上电的时候,处于浮空状态,有些高阻状态,瞬间还是会导通的;

使用特权

评论回复
8
tokuhou| | 2014-11-20 16:38 | 只看该作者
3.3V转5V 的通信应该是这样子的:

如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。
双向传输原理:
为了方便讲述,定义 3.3V 为 A 端,5.0V 为 B 端。
AB:
A端输出低电平时(0V)  ,MOS管导通,B端输出是低电平(0V)
A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V)
A端输出高阻时(OC)    ,MOS管截至,B端输出是高电平(5V)
BA:
B端输出低电平时(0V)  ,MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输出是低电平(0V)
B端输出高电平时(5V)  ,MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)
B端输出高阻时(OC)    ,MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)

使用特权

评论回复
9
tokuhou| | 2014-11-20 16:38 | 只看该作者
此电路我已经应用过了,验证通过

使用特权

评论回复
10
kseeker|  楼主 | 2014-11-22 01:02 | 只看该作者
本帖最后由 kseeker 于 2014-11-22 01:16 编辑
tokuhou 发表于 2014-11-20 16:38
3.3V转5V 的通信应该是这样子的:

如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。

谢谢回复。还没见过这样的方案,相当巧妙。A到B方向容易理解,但B到A方向,B端输出5V或OC时,为什么A端会是3.3V呢?
我理解的这时A端是个不确定的状态。是不是3.3V这边也必须是上拉输入?
如果AB两端的引脚都是带上拉电阻的开漏输出,我理解这个电路可以做到
“AB两端任意一端输出0,则两端都看到0,两端都输出高则两端看到的都是相对于自己的高电平”这种效果。
这样理解对吗?

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

6

主题

241

帖子

0

粉丝