在我的**中

1万 · 2008-7-1 18:07

Error[450] : psect "lanyong0" was never defined

只看该作者 · 2008-7-1 18:15

要在linker里面把 -L-planyong0=400h -L-planyong1=500h 弄进去.

只看该作者 · 2008-7-1 18:16

我两年前用过.

2万 · 2008-7-1 18:20

1万 · 2008-7-1 18:24

Error[450] : psect "lanyong0" was never defined

只看该作者 · 2008-7-1 18:30

picc的，好象真不行.

搞不懂哈.

只看该作者 · 2008-7-1 18:56

picc8.05

#include <pic.h>

/*
linker:
-L-ptext0=400h -L-ptext1=500h

*/

#pragma psect text=text0
void test(void){}

#pragma psect text=text1
void test1(void){}

void main(void)
{
test();
test1();
}

1万 · 2008-7-1 21:07

2万 · 2008-7-2 09:10

只看该作者 · 2008-7-2 10:38

MPLAB IDE v8.02 + PICC18 v8.5

编译通过.

#include <pic18.h>

/*
linker:
-L-planyong0=50h -L-planyong1=100h -L-planyong2=150h
*/

#pragma psect text=lanyong%%u
void test(void)
{
    unsigned char i;
    i = 0xaa;
}

#pragma psect text1=lanyong%%u
void test1(void)
{
    unsigned char i;
    i = 0x55;
}

#pragma psect main=lanyong%%u
void main(void)
{
    while(1)
    {
        test();
        test1();
    }
}

编译结果如下:
Program ROM   $000000 - $000003  $000004 (       4) bytes
Program ROM   $000018 - $00001B  $000004 (       4) bytes
Program ROM   $000050 - $000055  $000006 (       6) bytes
Program ROM   $000100 - $000105  $000006 (       6) bytes
Program ROM   $000150 - $000159  $00000A (      10) bytes
                                 $00001E (      30) bytes total Program ROM

通过view0->program memory->symbolic可以看到函数是绝对定位在所指定的地址上.

lanyong兄的此心得解决我一个难题,谢了.

昨天写了一个Flash写函数,可以对某一个指定地址上写一个指定数据,不是页写.
匠人要不?我贴出来.

2万 · 2008-7-2 11:16

对某一个指定地址上写一个指定数据就是假货……

1万 · 2008-7-2 12:29

是先读后写吗？

只看该作者 · 2008-7-2 13:11

代码如下:

/**************************************************************************************************
**Company       :
**Project Name  :
**Created by    :
**Created Date  :
**Version:      : V1.0
**Target        : PIC18F4680
**XTAL          : 4MHZ
**HardWare      :
**SofeWare      : MPLAB IDE v8.02 + PICC18 v8.35
**Function      : Flash读写函数
**Notice        : 可使用MPLAB SIM进行仿真,查看运行效果
**************************************************************************************************/

#include <pic18.h>

__CONFIG(1, HSPLL);            //配置HS，4倍频
__CONFIG(2, WDTDIS);        //禁止看门狗
__CONFIG(4, 0x8b);            //Low voltage ISP disabled

#define addr 0x300            //定义要写入的起始地址

//写周期
void  Write_Cycle()
{
    EEPGD = 1;    //EEPGD：闪存程序存储器或数据EEPROM 选择位
                //1 = 访问闪速程序存储器
                //0 = 访问数据EEPROM
    CFGS = 0;    //CFGS：闪存程序存储器/ 数据EEPROM 或配置寄存器选择位
                //1 = 访问配置寄存器
                //0 = 访问闪存程序存储器或数据EEPROM
    WREN = 1;    //WREN：闪存程序/ 数据EEPROM 写使能位
                //1 = 允许闪存程序/ 数据EEPROM 的写周期
                //0 = 禁止闪存程序/ 数据EEPROM 的写周期
    CARRY = 0;
    if(GIE)
        CARRY = 1;
    GIE = 0;      //关全局中断

    EECON2 = 0X55;
    EECON2 = 0XAA;

    WR = 1;     //1启动读/写周期；0写周期完成
    NOP();
    NOP();
    while(WR);    //等待写周期完成
    WREN = 0;    //0禁止向程序存储器或EEPROM写操作

    if(CARRY)
        GIE = 1;//IPEN = 1，开全局中断
}

//擦除函数，每次擦除64个字节
void Flash_Erase(unsigned long address)
{
    TBLPTRL = ((address) & 0xFF);
    TBLPTRH = (((address) >> 8) & 0xFF);
    TBLPTRU = (((address) >> 8) >> 8);

    FREE = 1;          //1 在下一次WR写周期时，执行擦除操作；0 只执行写操作
    Write_Cycle();
}

//写函数，每次写入FLASH是1个字节
void Write_Byte(unsigned long address,unsigned char data)
{
    TBLPTRL = ((address) & 0xFF);
    TBLPTRH = (((address) >> 8) & 0xFF);
    TBLPTRU = (((address) >> 8) >> 8);

    TABLAT = data;
      asm(" TBLWT*");

    FREE = 0;          //只执行写操作
    Write_Cycle();
}

//读函数，每次读一个字节
unsigned char Flash_Read(unsigned long address)
{
    TBLPTRL = ((address) & 0xFF);
    TBLPTRH = (((address) >> 8) & 0xFF);
    TBLPTRU = (((address) >> 8) >> 8);

    asm(" TBLRD*");

    return TABLAT;
}

unsigned char ReadFlashBuf[4];    //读取flash中的数据缓冲区

void main(void)
{
    Flash_Erase(addr);            //从addr地址起,擦除64个字节

    Write_Byte(addr, 0xaa);        //在addr上写入:0xaa
    Write_Byte(addr+1, 0x55);    //在addr+1上写入:0x55

    ReadFlashBuf[0] = Flash_Read(addr);        //读取flash地址addr到addr+3上数据,并存储在ReadFlashBuf[4]上
    ReadFlashBuf[1] = Flash_Read(addr+1);
    ReadFlashBuf[2] = Flash_Read(addr+2);
    ReadFlashBuf[3] = Flash_Read(addr+3);

    while(1)
    {
    }
}

Mplab Sim仿真效果如下:
https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20078/200781713276157.jpg

只看该作者 · 2008-7-2 13:55

呵呵,datasheet我有认真读过,擦写操作确实是按64个字节的.

我的芯片是PIC18F4680,公司里找的,我公司是代理MicroChip芯片的,应该不是假货.

下载到几个芯片上测试一下,并用串口打印出来,结果跟仿真一样.

我之所以这么做,是因为PIC18F458跟PIC18F4680的写操作函数是不一样的,详细各位请看datasheet.

为解决两者兼容性问题,我才弄出来这么一个写1 byte的函数出来.

也不知道有没有bug,再测试测试吧.

2万 · 2008-7-2 14:42

是指如果芯片本身不支持单字节写，那么所谓的单字节写肯定还是先读后整体写，不是真正意义上的象EEPROM那样的单字节读写。

LS是哪个代理？！

只看该作者 · 2008-7-2 14:47

Burnon

只看该作者 · 2008-7-2 14:49

2万 · 2008-7-2 15:51

在最后一步页写的时候，有人执行所谓的单字节写，俺个人不推荐这种操作方式。

贝能的朋友不大熟悉，请问你们16F690最好能做到什么样的价格？

请发我的EMAIL：xinyuanpic@163.com

只看该作者 · 2008-7-2 16:51

已发邮件,请查收.

只看该作者 · 2008-7-8 19:51

1，写操作：只能对内容是FFH的单元进行写操作。
2，要将某单元内容变为FFH，必须将所在单元的整页擦除。

在我的**中

回13楼lanyong 报错如下

啊,我picc18可以的啊.

哪里有picc下啊.

www.pic16.com

回22楼，弄了，不行

picc18 8.35可以的.

晕,不知道是啥玩意,可以了

怎么一会儿行一会儿不行？

呵呵，我在PICC8.05下也没有编译通过

re

呵呵，如果MCU本身不支持单字节写，那么

cheungman请拿出来让俺学习学习

re 程序匠人

re yewuyi

呵呵，我说的假货的意思

re yewuyi

yewuyi大哥能否解释一下"所谓的单字节写肯定还是先读后整体

先读出，然后页擦除掉，再页写

re yewuyi

从头看到尾，俺对flash的理解

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