打印

请教这个非隔离BUCK电路的疑问

[复制链接]
4576|27
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
楼主
maychang| | 2015-3-13 21:01 | 显示全部楼层 回帖奖励 |倒序浏览
200多伏特降到5伏特,占空比非常非常小。

使用特权

评论回复
沙发
maychang| | 2015-3-13 23:31 | 显示全部楼层
wcer520 发表于 2015-3-13 23:05
你好,请问占空比小,所以Q1不至于发烫吗,在这边当SW拉低后Q1的集电极差不多是4V,这时候Vin是AC220整流 ...

如果Q1集电极为4V(对地),首先损坏的未必是Q2,很可能是Q4,损坏原因是Q4门极击穿。
Q1的集电极是通过Q3发射结与Q4门极联接的。

建议不要使用这样的电路。功率这么小,用反激电路,成本可能更低,还可以实现隔离。市场上遍地都是输出直流5V的手机充电器等等,才几元钱?这些充电器都是反激电路。

使用特权

评论回复
板凳
maychang| | 2015-3-13 23:55 | 显示全部楼层
wcer520 发表于 2015-3-13 23:48
谢谢,我明白了。
因为体积原因不考虑使用变压器,想做非隔离的目标输出12V,0.5A,找了好几款IC,电流都 ...

在同样功率输出情况,使用变压器的体积比首帖图示电路大不到哪里去。变压器体积仅比图中滤波电感L2大一点,但使用反激则可以省掉这个电感。

使用特权

评论回复
地板
maychang| | 2015-3-15 12:08 | 显示全部楼层
YEO 发表于 2015-3-15 10:40
1、Q1是高耐压管,在这图的作用相当于"电平转换",隔离了高压,去控制低压器件的作用吗?
2、Q2是给Q4的GS放 ...

1、Q1必须用高耐压管,因为控制芯片位于220V整流输出的“地”这一端,该电路又使用P沟MOS管,其门极位于整流输出的高电位端。Q1上面的直流压降就是为了让“地”端自控制芯片来的信号传递到高电位端。Q1不能说是“隔离了高压”。
这种方法在220V整流情况下可以用,但无法扩展到整流后直流电压达到1000V甚至2000V以上情况。
如果用光耦隔离或者变压器隔离,则可以在更高电压下传递信号,且消耗功率较小。

2、是。

3、D3和C4作用,分Q1导通和关断两种情况考虑。自己想吧。你的问题2已经与此有联系。

使用特权

评论回复
5
maychang| | 2015-3-15 23:11 | 显示全部楼层
wcer520 发表于 2015-3-15 23:01
请问:
1,Q2在这边不是提供Q4截至所需的电平吗?为何是给GS放电?
2,D3C4在这边是加速Q4的导通和截至作 ...

1、GS之间存在电容,该电容放了电,两端电压接近于零,这就是Q4截止所需要的电平。
2、不是。
3、Vin这个点的电压就是120V到230V工频交流整流滤波出来的电压。2楼所说,不是Vin这点的电压。

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则