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在推挽变压器初级匝数设计中所遇到的某个问题╮(╯▽╰)╭

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楼主: 真实科
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PowerAnts| | 2015-5-10 22:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
50K +-1200G, 磁芯热度跟30K,+-2000G相比,磁损少2W,但MOSFET热度就不止大2W了,何况频率高了铜损还会增加。这个一匝限制了用铜量,频率能低就尽量低,对降铜损和开关损耗有利。

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真实科|  楼主 | 2015-5-11 11:58 | 只看该作者
PowerAnts 发表于 2015-5-10 22:57
50K +-1200G, 磁芯热度跟30K,+-2000G相比,磁损少2W,但MOSFET热度就不止大2W了,何况频率高了铜损还会增 ...

明白,谢了大叔,我先试制一个样品。

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