呵呵，记得以前匠人的blog有一篇简单介绍了RC充放电测电阻原理。不过我找了半天也没找着。
这里就简单说一下：
RC充放电基本依据：
1、MCU IO的门槛电压的稳定性。一般来说MCU IO的输入电平有TTL、CMOS、施密特等等，但是基本上从高电平到低电平或反之的门槛电压都是电源电压和芯片温度的函数。所以做RC充放电测电阻必须保证电源电压的稳定性（至少在充放电周期内）。温度稳定性可以不予考虑，因为温度通常变化缓慢。
2、理论依据是RC上电压从一个值变化到另一个值（VDD到门槛或地到门槛）的时间与电阻和电容都成正比。由于电容是固定的，所以我们通过充放电可以得到一个时间，换算成电阻。在将待测电阻与基准电阻比较，得到待测电阻的阻值。
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