如何修改RelInFLASH的模板

只看该作者 · 2007-4-15 11:13

如何修改RelInRam的模板,使部分代码在RAM中运行?

初学者,请各位网友不吝赐教!

只看该作者 · 2007-4-16 15:34

只看该作者 · 2007-4-17 08:11

1万 · 2007-4-17 09:03

astudent 发表于 2007-4-17 08:11 ZLG-ARM ←返回版面

3楼：看来周立功只会骗人,稍微复杂一点的应用代码都不愿意提供.

这个逻辑有问题！

只看该作者 · 2007-4-17 11:08

只看该作者 · 2007-4-17 12:41

复杂的应用的代码肯定有问题,简单的没有实际用处,不是骗人是什么?

3万 · 2007-4-17 12:48

不要含糊不清，很多人都是这样，请举例说明。如果是我们提供的复杂代码都有问题，那您说我们“骗人”，我们无话可说，我们一定赔偿损失，我们也是打开门做生意的人，我们同样遵循道义。

只看该作者 · 2007-4-17 13:13

惊扰两位了,还是自己看书解决好了.

复杂的代码都有问题不敢说,但有部分代码有问题是你们自己都承认的,不过一句DEMO就给自己打了圆场了.

2万 · 2007-4-17 15:19

    其实，在链接器眼里并没有什么FLASH还是RAM，它的眼里只有地址空间。而ARM7的地址空间是统一的。所以，如果要把代码放一部分到RAM空间里，只要在分散加载文件里指定好存放地址就可以了。改一下分散加载文件，稍微做个小实验验证一下，很容易的。这是我建议您自己动手的原因。而且，由于本身工作繁忙，精力有限，如果每一个网友的问题都去即时做一个实验来确定详细的解决方案给网友，那么工作就不用做了。所以，有时只好提供引导性的技术支持。请您谅解。
    但是既然您都这样说了，那么就做一下实验吧。
    1、您再写一个C文件例如main2.c。
    2、在分散加载文件里加入以下代码：
“
RAM_LOAD1 0x40001000
{
    ROM_EXEC1 0x40001000
    {
        main2.o (+RO)
    }
}
”这样就可以将main2部分的代码烧写入RAM。
这是已经经过实验验证的分散加载文件，请根据您自己的情况参考它。

此外，也可以将一部分代码加载到外部FLASH，但烧写时要分两次，一次烧写到内部FLASH，一次烧写到外部FLASH。分散加载文件可以这么写：
“
ROM_LOAD1 0x80000000 0x00020000
{
    ROM_EXEC1 0x80000000 0x00020000
    {
        main2.o (+RO)
    }
}
”

如果还有问题，请直接致电我们。020-22644384。
此外，分散加载的问题，问的人很多很多，您完全可以在本版面搜索一下，解决方案一大把。

只看该作者 · 2007-4-18 11:18

照上面的scf设置，普通代码在RAM里面运行没有问题，但是如果是擦除flash的代码，好像就不正常了

我的程序放置在外部flash上运行，但同时也需要擦除当前程序所在flash的部分区域，按照上面的scf设置，程序运行到擦除函数的时候就重启了。。。why？？

通过打印擦除函数的地址，确实已经在RAM里面了，请帮忙解决下，谢谢

只看该作者 · 2007-4-18 15:56

只看该作者 · 2007-4-18 21:01

只看该作者 · 2007-4-19 09:27

我写的scf文件比这个要复杂得多，这张图我也已经看过很多遍了

2万 · 2007-4-19 21:55

既然是这样，那么你的问题跟分散加载文件没关系了。
建议你看看IAP的最新应用文档。里面介绍了许多应用须知。

相关链接:http://www.zlgmcu.com/download/downs.asp?ID=2098

如何修改RelInFLASH的模板

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看来周立功只会骗人,稍微复杂一点的应用代码都不愿意提供.

不愿意给你我自己的东西，怎么叫骗人？

我曾经把模板里面的东西全删了，后又建立自己所需的东西

口口声声宣传要把LPCARM象51一样推广,结果给的例程问题一堆

那些复杂的代码有问题，请指明！我们来验证。

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RE

搭车问个问题

帮忙UP

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谢谢mcu123ad 的回复，可惜对我没什么价值

lightrainy

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