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[ZLG-ARM]

请教周公 关于LPC213X的回写

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楼主
mklwcai|  楼主 | 2007-4-24 08:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
LPC213x, CPU, SRAM, RAM, ST
芯片使用手册上说 
“SRAM控制器包含一个回写缓冲区，它用于防止CPU在连续的写操作时停止运行。”

有一个问题想不通
写SRAM比指令慢，所以连续写操作会让CPU stall，
但是 回写缓冲器并没有提高写SRAM的速度，作为缓冲而且只有一个字节
那么 他是如何防止CPU Stall的呢？

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沙发
lenglx| | 2007-4-25 14:00 | 只看该作者

正常情况下,不可能连续2个写指令在一起吧.

就算是象memset()这样的函数,在2个写指令的中间,也有1条修改地址的指令.
这样,至少CPU有2个指令周期的缓冲余地.

何况大多少情况下,在2个写指令期间,要修改写数据,要修改写地址,CPU能获得的缓冲时间更多.

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板凳
zlgARM| | 2007-4-25 22:47 | 只看该作者

mklwcai

内部RAM的访问速度极快的。
芯片设计者在设计芯片的时候，会考虑到CPU执行写操作指令和写内部RAM的同步问题的，务必让用户在访问内部RAM时无需考虑同步问题，这种问题也不应该让用户来考虑。回写缓冲区是解决同步问题的机制之一，应该还有其它机制保证同步（比如写一个数据到RAM，还包括写地址、然后才是写数据），但作为普通用户似乎不必深究了，毕竟资料欠缺，我们无法猜测NXP是如何解决这个问题的。

个人意见。

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地板
airwill| | 2007-4-26 08:32 | 只看该作者

TO: 2楼

如果象堆栈压栈一样的操作, 不就连续2个写指令在一起了吗

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