STM8用的好像是EE工艺，而不是Flash工艺

发表于 2009-4-11 09:24

纯属猜测

发表于 2009-4-11 09:45

STM8S在北京发布会上有个PPT介绍，事后看到，这有份E文的，好像于此有关？

发表于 2009-4-11 10:58

0.13的EE工艺，ST又抢了风头。

发表于 2009-4-11 18:10

300k擦写次数，领先。
唯一不满的就是最低2.95V电源电压。
另外IAR不支持...

发表于 2009-4-12 00:28

发表于 2009-4-13 09:51

300K是指内嵌EEPROM，不是内部Flash。

发表于 2009-4-13 10:16

STM8用的好像是EE工艺，没错，其实这是公开消息，在STM8S发布的新闻稿上面就说了，STM8S的memory是 130nm的E2工艺。

发表于 2009-9-12 00:30

挖坟了，挖到MP了，挖哈哈。
EE跟FLASH的本质区别到底在哪里呢？有行家讲讲？

发表于 2009-9-12 01:27

本帖最后由 McuPlayer 于 2009-9-12 01:29 编辑

其实概念是在动态发展，了解概念的变化过程才能更多的体会技术前辈的功劳。
这些东西，细聊起来，还是蛮有意思的，我们是在review电子技术进化过程。

现在通常所说的“EE”已经是狭义的了。
因为早年的EPROM比如27系列，要紫外光才擦掉的，其完整说法似乎应该是“UVEPROM”
把UV替换成Electric就成了E-EPROM，下面是个比较呆板的英译汉，多数的Flash也属于EE的范畴
Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器
像24系列的EE每次写入之前自动执行了擦除操作。

那Flash又为何物呢？
咱电工们叫Flash芯片，赛格那些做MP3电子套料的，一般叫做闪存，就像电脑城的人把MMX叫做麻麻叉一样。
据汉语义，闪，就是快的意思，就是说它是个“快”的EE存储器。
当然，快是有代价的，那就是块。注意这两个字读音相同，含义可不占边际的。

所谓“闪存”，是EEPROM的进化的一个分支。它的最大特点是擦除是按Block的或者叫做Page等。
我们知道Flash可以1改0，不可0改1，根据这一特性，我们可以对一个block擦除一次，分多次分地址写。
通用的Memory芯片，Flash的擦除次数比EEPROM差一个数量级。

当然Flash本身又有分支，NorFlash和NandFlash，这两个的不但接口不同，而且工艺又是不同。
后者可以获得更高的存储密度，以降低存储成本。
代价是Nand不确定性，要有类似FS的检验系统支持才能保证数据的完整性。

技术的进步实际是个综合成本权衡进化的过程。

发表于 2009-9-12 01:39

本帖最后由 mcuisp 于 2009-9-12 02:12 编辑

呵呵，挖MP坟的效果不错，又挖出MP不少脑浆。奉献精神可嘉，赞一个。
不过我问的是“本质区别”，正是要讲工艺上的区别。
FLASH的快与块，是应用上的区别，这坛子里老ID一般都知道。
知其然，还想知其所以然。
继续期待高手解惑、、、
另外纠正一小点：NAND的数据完整性不是靠FS系统支持的，而是靠ECC算法支持的，三星是权威，呵呵。(STM32大容量的NAND接口硬件上支持ECC，但是不支持FS哦，别又有人以为“捡”到便宜了，呵呵)

gg到一点，贴上，抛个砖：

flash和EEPROM的区别

EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating-gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。

发表于 2009-9-12 01:57

本帖最后由 McuPlayer 于 2009-9-12 01:58 编辑

狭义的EEPROM和FLASH的存储方式也是不同的，数据bit的记录方式也有差异。

从目前工艺上而言，用低端MCU成本将EE和Flash工艺在一个芯片上实现并量产，不现实的。
而STM8的是EE Data是真正的EE，所以我推测其整个芯片的NV Memroy都是EE工艺的。

而STC先前大肆宣传的EE inside的单片机，其实是Flash模拟的。
也是工艺的原因，并非是STC不想做个真正的EE在里面。

发表于 2009-9-12 02:03

我记得McuPlayer和mcuisp是一个淫呢
又在玩空明掌？;P

发表于 2009-9-12 02:05

;P嘻嘻，不是一个人，是哥俩，都姓M。

发表于 2009-9-12 02:07

:lol

发表于 2009-9-12 08:30

嗯，这哥俩，都姓M，简称都是MP;P

发表于 2009-9-12 12:40

呵呵，我是MI，MI是我。

发表于 2009-9-14 14:01

狭义的EEPROM和FLASH的存储方式也是不同的，数据bit的记录方式也有差异。

从目前工艺上而言，用低端MCU成本将EE和Flash工艺在一个芯片上实现并量产，不现实的。
而STM8的是EE Data是真正的EE，所以我推测其整个芯片 ...
McuPlayer 发表于 2009-9-12 01:57

这么说,很多带EEPROM的MCU,其实都是FLASH模拟的?如果用FLASH模拟EEPROM,那么写一个字节时需要有一个空间暂存一整块的内容,这个怎么实现?

发表于 2009-9-14 18:37

McuPlayer在11楼的推测是正确的，STM8S整个芯片的NV Memroy都是EE工艺的。

[STM8] STM8用的好像是EE工艺，而不是Flash工艺

相关帖子

依据？

看了二楼的贴，就不再是猜测了

价格优势很大呀，期待。

300K擦写?? STM8的开发工具仅仅只是 cosmic?? 也太贵了吧?

C编译器还有Raisonance

STM8用的好像是EE工艺

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