Dcdc外围器件发热跟布局有关吗?

发表于 2015-9-24 22:19

外置mos，续流二极管和电感发热很大，器件的余量是足够的，跟据规格书选取的，怎样去分析出发热的原因?

发表于 2015-9-25 09:27

贴图来说
电感和二极管选型很重要
板子走线散热也很关键

发表于 2015-9-25 10:36

既然余量足够只能从散热下手了
布局决定了散热的好坏。
另外就是减小自损耗

发表于 2015-9-25 13:00

选外置MOS管，是不是要选Ciss小点的，这样开关损耗才没那么大？

另外，电感和二极管选型要考虑哪个参数，能够减少发热？

发表于 2015-9-25 13:55

MOS在满足耐压余量的前提下，尽量选耐压低一点的，
电感用铁硅铝的，和铁粉芯的相比，能够大幅度的减少发热，
二极管和MOS一样，在满足耐压余量的前提下，也是尽量选择耐压低一点的

发表于 2015-9-25 14:09

选耐压低一点为何能够减少发热？
@yytda

发表于 2015-9-25 14:36

YEO 发表于 2015-9-25 14:09
选耐压低一点为何能够减少发热？
@yytda

一般来说，耐压越低，内阻越小，压降越低，所以能够减少发热

YEO · 发表于 2015-9-25 20:08

yytda 发表于 2015-9-25 14:36
一般来说，耐压越低，内阻越小，压降越低，所以能够减少发热

过于片面
正确的做法是先搞清楚哪个是主要的损耗源再对症下药
例如对于肖特基，不一定压降低的发热就小，还要考虑反向漏电流，有时反向漏电流的损耗可能比正向还大。耐压越低漏电流也越大，可能更热

发表于 2015-9-26 08:41

mos管ao4413的. Ron很小，但是Ciss较大，有几千，这个高频损耗是否较大?
这个管能否用于高频开关?
@lyjian

发表于 2015-9-26 08:58

lyjian 发表于 2015-9-25 20:08
过于片面
正确的做法是先搞清楚哪个是主要的损耗源再对症下药
例如对于肖特基，不一定压降低的发热就小， ...

好像各款肖特基的反向漏电都差不多大

续流管除了考虑反向漏电流以外，是否还要选Trr小点的?

发表于 2015-9-26 09:40

YEO 发表于 2015-9-26 08:41
mos管ao4413的. Ron很小，但是Ciss较大，有几千，这个高频损耗是否较大?
这个管能否用于高频开关?
@lyjian ...

Qg大，开关损耗肯定大
能否用于高频开关看给它的驱动能力大小及开关频率高到什么程度

发表于 2015-9-26 10:28

YEO 发表于 2015-9-26 08:58
好像各款肖特基的反向漏电都差不多大

续流管除了考虑反向漏电流以外，是否还要选Trr小点的?

不同工艺出来的肖特基反向漏电流差个几倍几十都很正常
同一个肖特基不同反压下漏电流也差不少
一些低压及频率几百K以下的应用，基本不用去考虑肖特基的Trr，没有不能满足要求的