这样的延时怎么设计？

发表于 2009-1-15 13:39

C1不用太大，因为如果后面的MOS是个增强型N沟道的信号级MOS，那就只要有个电压支持就行了。不用什么电流。
延时的长度就是C1通过R1放电的时间。

发表于 2009-1-17 11:28

发表于 2009-1-18 01:07

请问大家~二楼那个图中左边PNP是什么作用~

发表于 2009-1-18 09:47

发表于 2009-2-7 14:41

　　搭建电路通电后，输入端输入电平由高变底，ＬＥＤ马上灭，没有延时．

　　用示波器测试电容左端波形如图．

　　输入高电平，灯亮，V-(电容左端电压)由5V迅速变为低电平，然后由爬升到5V，
　　输入电平由高变底后，V-由5V迅速升高到8V左右，然后有迅速降低到5V，此时灯灭．

发表于 2009-2-7 14:43

发表于 2009-2-7 21:12

其实可以把14楼的场效应管改为三极管，并且可以把电容的容量搞大点，也把电阻增大点这样可以保证放电时间慢点，最好是根据公式t=0.69*R1C1=250ms自己可以计算一下

发表于 2009-2-8 09:20

发表于 2009-2-8 10:03

发表于 2009-2-9 14:03

放电回路是有，可是电容这么小，放电回路的电阻这么大，放电电流岂不是很小?时间很短?还请释疑!

发表于 2009-2-9 14:04

还是14楼的电路比较好。