MOSFET驱动电路

发表于 2007-10-4 18:45

R1会影响场效应管的导通损耗和关断损耗，导致电路的效率降低，二极管会加快场效应管的关断，不过要求二极管的导通内阻要小 如果取消R1和二极管的话，导通损耗和关断损耗确实会降低，但是会导致驱动的功耗加大，而且由于导通和关断瞬间电流变化太大，受场效应管极间电容以及连接线电感的影响，会造成出现过冲，严重的话，甚至会损坏驱动IC，影响电路的电磁兼容性 实际应用中，应该没有谁取消R1的，倒是二极管经常有不使用的，这主要是如18楼droum所说，只有当被驱动的场效应管Q1的关断电压太低时才用，不过这个二极管确实对效率的影响不如电阻大，很多时候就不用了

发表于 2007-10-5 09:59

发表于 2007-10-6 15:12

消振电阻在变压器驱动的情况才会需要，MOSFET虽然是电压控制器件，只是在改变工作状态的瞬间需要较大的驱动电流，这就需要加速电路，MOSFET驱动芯片一般是图腾柱输出，目的就是为了提高驱动能力，驱动电流可达2A，如果MOSFET发生击穿，势必会引起驱动芯片发生短路故障，故这个电阻起限流作用。 一般功率MOSFET的Ciss约为1~3nF，串10R电阻可保证开通上升沿时间为数十nS，按上升沿为周期的1/100计，可满足300K-1MHz的工作频率要求。目前开关电源的工作频率最高达20M，不要对我说你用的是Ciss为几十PF的MOSFET哦。（虽然是软开关，但对开关控制时间要求还是很严格的哦） 另外，开关管开通时电流、电压的应力远远小于断开时的应力，在强调提高关断速度的大环境下，还在谈开通的应力保护，简直是舍本逐末...

发表于 2007-10-6 19:17

电源我外行，但我从这个行业问来， 磁芯最高频率是德国，日本的磁芯，最快也只能达1M，  另,20M的栅极驱动，这个栅极的开关损耗，可是高得很啊。  呵呵。

发表于 2007-10-6 19:41

20M的应用,在05年有过报道。具体的情况不记得了。 目前已经商业化的成熟应用为： 美信MAX8525，是一种隔行扫描的2到4相器件，每相工作频率最高为1.2MHz，也可以在VRM10主/从配置下达到2至8相。该公司表示，MAX8525具有平均电流模式控制器的电流共享精度，以及峰值电流模式控制器的瞬时响应。在4相模式运行时，有效开关频率高达4.8MHz，8相模式下高达9.6MHz。  飞兆半导体的FAN53168，它可以工作在4相模式，面向VRM/VRD10应用；Semtech的SC4201，这是一种最多具有4相控制的多相连接控制器，每相的工作频率为2MHz，4相模式下频率达8MHz。

发表于 2007-10-6 20:18

这几年接触VRM不少，主要是IBM和HP的，少数DELL，这几家公司的VRM都没有采用美信和飞兆的芯片，不知道有谁在用MAXIM。

发表于 2007-10-6 23:55

发表于 2007-10-8 13:04

发表于 2007-10-10 14:45

发表于 2013-1-3 00:06

学习了

发表于 2013-1-3 10:31

持续关注

MOSFET驱动电路

同意tk1209的说法

楼上正解

看来这个问题的争议还蛮大的

20M这么高？ 具体说说哪些厂家在用这个技术。

孤陋寡闻了吧!!!

VRM接触比较多

学习了

不错

啊,我的与D1并了个104电容,真晕

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20M这么高？具体说说哪些厂家在用这个技术。