问个可控硅控制极G和单片机i/O输出的电路问题

发表于 2016-7-14 08:31

一楼的图肯定MCU必烧。

发表于 2016-7-14 08:32

要用半波整流才对。

发表于 2016-7-14 08:36

亡羊补牢发表于 2016-7-6 14:33
其实我主要是参考这个电路做的设计，是我们论坛里的oufuyang做的，您看看我的电路作如下改动可以吗：
单 ...

人家是半波整流的，你偏要桥式整流，这么大的差别你看不出来，

发表于 2016-7-18 18:24

oufuqiang 发表于 2016-7-14 00:47
我什么时候有空了画几个图给你好好学习可控硅吧

谢谢大牛

关于可控硅，我最不满意的，网上的理论和实际的差别太大，书都是一些老古董

就拿这个问题来说吧：单相可控硅导通的条件是阳极电压大于阴极电压；G极正压
将两个单相可控硅反相并联，G接到一起，G极加负压竟然能导通，这岂不是和单相可控硅的导通条件相矛盾了？？？我都是在不想纠结这些事情了

登录 · 发表于 2016-7-21 12:02

本帖最后由 oufuqiang 于 2016-7-21 12:04 编辑

亡羊补牢发表于 2016-7-18 18:24
谢谢大牛

关于可控硅，我最不满意的，网上的理论和实际的差别太大，书都是一些老古董

先搭这个图好好摸索一下吧。。。

发表于 2016-8-16 13:30

单片机的GND，7805的GND,220v的零线连在一起后，整流桥就不起作用了，接着过电压烧单片机电阻，你想一想是不是。

发表于 2017-4-26 09:57

oufuqiang 发表于 2016-7-21 12:02
先搭这个图好好摸索一下吧。。。

哥，快1年没学了，我没有放弃，只是换了个方向，发现不适合自己，8个月时间啊

有qq吗，有个职业问题请教下，跪谢

发表于 2017-5-6 11:19

我觉得得用半波整流不能用全桥整流~~~

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