STM8连续写内部EEPROM造成系统死机和复位

发表于 2016-11-10 11:16

我用的STM8S105K4T6+官方2.2.0版本的库，用如下代码连续写STM8的EEPROM

//向EEPROM中地址为add的位置写入字节值val
void EEPROM_ByteProgram(u16 add, u8 val)
{
FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA);

FLASH_EraseByte(add);
FLASH_ProgramByte(add, val);

FLASH_Lock(FLASH_MEMTYPE_DATA);
}

for(i=0; i<8; i++)
{
EEPROM_ByteProgram(0x4020+4*i, 0);
EEPROM_ByteProgram(0x4021+4*i, 0);
EEPROM_ByteProgram(0x4022+4*i, 0);
EEPROM_ByteProgram(0x4023+4*i, 0);
}

发现上述代码连续写EEPROM时，写入10个左右的时候，是没问题的，再写的话，就会造成系统死机或者复位，断崖式的死机和复位，根本不跟你机会，这是什么原因呢？

另外，6年前我曾经给ST北京技术支持的吴颖工程师发过邮件咨询关于STM芯片的技术问题，都得到了很好的的答复，但是现在她的邮件找不到了，联系不上，谁有她的联系邮箱吗？谢谢

发表于 2016-11-10 14:04

void FLASH_ProgramByte(uint32_t Address, uint8_t Data)
{
  /* Check parameters */
  assert_param(IS_FLASH_ADDRESS_OK(Address));
  *(PointerAttr uint8_t*) (MemoryAddressCast)Address = Data;
}
FLASH_ProgramByte没有等待FLASH写完就执行FLASH_Lock，写一个或一块的时间大概要3MS。有可能这个原因。我用寄存器暂时没有遇到这个问题
while((FLASH_IAPSR & 0x04) == 0); // 等待写操作成功
FlashLook();

发表于 2016-11-10 17:20

不能总对着一个地方写，要循环写，结尾都留个标志。要不然容易坏掉。

发表于 2016-11-10 17:55

应该是2楼的说法对，我查了下ST官方关于写EEPROM的手册，写完后必须等待

发表于 2016-11-12 22:01

要循环写，结尾都留个标志

[STM8] STM8连续写内部EEPROM造成系统死机和复位

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