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关于PMOS关闭24V电源，电阻发热和PMOS发热的问题？

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 楼主| sjssjssjs 发表于 2010-4-5 13:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOS, 电阻, 电源, MOS管, PMOS管
各位朋友有空帮忙看看这个图有什么不妥的地方，头一次用PMOS管；该图的功能是利用PMOS管做开关来控制24V的通断，还有一个过流保护和短路保护功能（可自恢复），还有就是利用VDD1或VDD2超过3V优先关闭24V，问题是利用VDD1或VDD2关闭24V时R1,R10有点热，不知道有没有解决的方法。

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gaohq 发表于 2010-4-5 13:41 | 显示全部楼层
在R1上并联加速电容。
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ShakaLeo 发表于 2010-4-5 13:43 | 显示全部楼层
把R1和R10的阻值都增大10倍就差不多了。现在的R9：R10是20：1，这个PMOS的VGS应该不用这么大吧。
R1也太小了，三极管Q3的Ibe都好几毫安了。
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 楼主| sjssjssjs 发表于 2010-4-5 14:46 | 显示全部楼层
谢谢楼上的建议，在这Q3用NPN的能不能实现啊，跟PNP的比有优势吗?
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ShakaLeo 发表于 2010-4-5 18:24 | 显示全部楼层
为什么要用NPN实现啊，我觉得这里的Q3用PNP挺好的啊
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modelfeifei 发表于 2010-4-5 20:50 | 显示全部楼层
给R9并一个电容。把R9，和R10阻值变大一点，常态保证IRF9540导通，电流在合适的值。Q3的B、E间接个电阻。就像3楼说的，增大R1的电阻。如果Q3用PNP的，前面的电路需要改动一下。
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 楼主| sjssjssjs 发表于 2010-4-6 14:41 | 显示全部楼层
我想问下在R9上并电容有啥作用啊？
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ShakaLeo 发表于 2010-4-7 09:04 | 显示全部楼层
个人觉得发热现象跟R9上是否并电容关系不大，并电容可能是为了防止电路中的干扰。
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dontium 发表于 2010-4-7 09:47 | 显示全部楼层
I（R1） = （24V - VD-VEB）/R1 = 4.4mA
Q3的基极必须要这么大的电流吗？
“R10有点热”，R2、R4与它的工作条件相同，也会“有点热”的。
-----增大R1、R2、R4、R10

再者，你查一下Q1的VGS的击穿电压是多少？
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