本帖最后由 quzhanguang 于 2013-9-14 14:39 编辑
电子设计竞赛做的电源题目，莫名的烧了几片MOS，电路也烧了，原来碰上了假MOS，烧掉后，DS间断路，GD之间短路，直接烧了驱动IC，灰常可恨！
拆解后发现，MOS硅片没有烧，是S极和硅片之间的连线烧气化了，直接把树脂封装炸裂。
假的MOS只用了头发丝细的铜线，而真的MOS用了0.5mm左右的银线，IRF3205甚至用了三根银线并联（第4张图可以看出）。
假货硅片面积也小很多，差距显而易见。
四个管子分别是 假IRF540，假IRF540，真IRF3205，真IRF540S
再补几张张SUM60N10的裸照
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