扩RAM

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 楼主| zhenykun 发表于 2017-4-3 21:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
如何能实现后期的仿真调试呢,有什么NB的仿真器或者有不用扩RAM的方法吗
wyjie 发表于 2017-4-3 21:40 | 显示全部楼层
我也遇到了这样的问题
 楼主| zhenykun 发表于 2017-4-3 21:44 | 显示全部楼层
你得什么情况?
jlyuan 发表于 2017-4-3 21:46 | 显示全部楼层
型号是28035,片内RAM有10K,能不能用内部RAM仿真
yszong 发表于 2017-4-3 21:48 | 显示全部楼层
看下这个,希望有帮助:


TMS320F206(以下简称F206)是C2XX系列DSP中的一个产品,其独有的片内32KB的闪速存储器FLASH使其仿真调试与众不同。F206带有程序、数据和I/O三个相互独立的存储空间,每个存储空间均为64K×16位,其中片内双访问RAM为544字(288字用于数据,另256字可用于程序/数据),片内FLASH为32K字,片内单访问RAM为4.5K字,其具体分布如表1所示。


F206的仿真调试
● F206仿真调试的特点
     F206的仿真调试器没有采用传统的插入仿真的方法,而是通过仿真器与DSP芯片上的几个仿真引脚间通信实现,F206具有符合IEEE1149.1标准的JTAG逻辑扫描电路,扫描仿真不仅克服了因仿真电缆过长而引起的信号失真,而且克服了传统单片机“插入式”仿真方式脱机运行时就出错的缺点。利用闻亭公司生产的EPP_XDS510仿真器进行系统的在线仿真调试,其一端与计算机的并口相连,另一端通过一双列14脚的仿真插头与F206通信。
● 问题的提出
     如果所要进行仿真的硬件装置没有外部存储器,此种情况下如何实现仿真呢?若将程序完全定位至8000H开始的片上SARAM内,则与F206中断向量表应该定位至0000H相矛盾,从而中断进一步程序将不可能正确运行;若将程序完全定位至0000H开始的FLASH内,虽保证了中断进一步程序可以正确运行,但是由于在FLASH内无法设置断点,所以此种情况下不能顺利进行仿真调试;若将中断向量表定位至0000H的FLASH内,将程序的其他部分定位至8000H内,可以保证中断进一步程序的正确执行,也可以在SARAM内设置断点,似乎是一种可行的方法,但是程序每改动一点,也就意味着中断向量表也要做相应的修改,即要再次将中断向量表烧写到FLASH内,不仅麻烦而且对FLASH也有损伤。
● 问题的解决
     针对以上种种方案存在的弊端,笔者提出了一种行之有效的解决办法,那就是将中断向量表和程序都定位至8000H开始的SARAM内,而在0000H烧写进一定的跳转语句,这样既保证了中断的正确执行,程序断点的调试,同时对FLASH也只要进行一次烧写即可。
     首先完成跳转语句的烧写。F206的FLASH烧写必须具备如下几个前提:FLASH烧写工作只能在WIN98操作系统下完成,在WIN2000操作系统下将会显示窗口初始化失败,被强行关闭;时钟频率必须为20MHz。
     相应的CMD文件为:
     MEMORY
      { PAGE 0: VECB rg= 0000h,length=40h
      ......
      PAGE 1:
      ......
      }
      SECTIONS
      { vectorb : {} > VECB PAGE 0
      ......
      }
      相应的vectorb的程序为如下。
     *File: vectorb.h *
      *File defines Interrupt vector labels *
      .global _c_int0
      .global _c_int1
      .global _c_int2
      .global _c_int3
      .sect "vectorb"
      b 8000h ;硬件复位c_int0
      b 8002h ;外部中断1 /INT1
      b 8004h ;外部中断2 INT2/INT3
      b 8006h ;定时器中断
     nop
      nop
      b 8000h
      b 8000h ;保留
     b 8000h ;保留
     b 8000h ;保留
     nop
      nop
      b 8000h
      b 8000h
      b 8000h
      b 8000h
      假设烧写程序在E:\LOADEPP\目录下,则将上述工程编译并建立形成的TZ.OUT文件也复制到同样的E:\LOADEPP\目录下,然后执行如下烧写语句。
     E:\LOADEPP\>RG2XXPP -P 280 -M 0X0006 -S 0X4007 -W 6 -E SRC\C2XX_SPX.OUT TZ.OUT即可。
     在跳转语句的烧写完成后,即可将中断向量表和程序都定位至8000H开始的SARAM内,这样在SARAM内既可很方便设置断点,同时已经烧写进FLASH的跳转语句又能保证中断的正确执行,且每次对程序修改后无需再次对FLASH烧写,只要重新生成.OUT文件,然后执行CCS的FILE菜单下的LOAD PROGRAM即可。
dengdc 发表于 2017-4-3 21:50 | 显示全部楼层
不错的资料
 楼主| zhenykun 发表于 2017-4-3 21:53 | 显示全部楼层
结贴了,多谢大家讨论这么多哈,呵呵
pklong 发表于 2017-4-4 20:31 | 显示全部楼层
楼主用的什么仿真?
pklong 发表于 2017-4-4 20:38 | 显示全部楼层
芯片仿真就可以,为什么拓展ram呢?
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