路漫漫兮,难以独自求索,又来提问

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 楼主| guwu 发表于 2010-5-20 22:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
刚看MOSFET手册和一本开关电源的参考书,发现一个参数,源漏二极管反向恢复时间,说MOSFET承受反向电压、高频振荡之类的,看了半天,一点儿没看懂,请各位大侠指点指点,小弟谢过了
maychang 发表于 2010-5-21 07:31 | 显示全部楼层
“说MOSFET承受反向电压、高频振荡之类的,看了半天,一点儿没看懂”
你没看懂,至少看了。
我可没看见。
怎么说?
lhqlhq2 发表于 2010-5-21 10:58 | 显示全部楼层
2# maychang
我也想问maychang老师,反击电源,带满载开机的时候,输出要哆嗦一下才起来,是啥原因?是否初级电感量太大,导致占空比临界最大?
lhqlhq2 发表于 2010-5-21 11:14 | 显示全部楼层
你是说电感量还不够大?
伟林电源 发表于 2010-5-21 21:53 | 显示全部楼层
输出要哆嗦一下?呵呵,好多新名词
 楼主| guwu 发表于 2010-5-21 22:20 | 显示全部楼层
maychang老师,是我没说清楚,电子工业出版社的《开关电源设计》,Abraham I.Pressman著,王志强译,其中MOSFET管源漏极间的体二极管小节中,说在漏极和源极之间有一个寄生的体二极管,又看了一遍,意思大概明白了,还有一点不清楚的是:他说“对于N型MOSFET管,漏极相对于源极为负极;P型漏极相对于源极为正”还有就是“在漏源极间一般不会加反向电压”,这两句话不懂,还感谢各位指点
lhqlhq2 发表于 2010-5-21 22:36 | 显示全部楼层
嘿嘿,不好意思,就是要打咯
7# 伟林电源
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