AIGaN/GaN H EMT功率放大器设计

[复制链接]
2138|1
 楼主| axl3132646 发表于 2010-5-27 14:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
在小信号 参数不适于微波功率放大器的设计而大信号 参数不易获得的情况下,利用ADS软
件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配, 成功的设计出A1GaN/GaN HEMT微波功率放大器。为了解决
晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法, 最后得到理想的结果为:
工作绝对稳定,带宽3.6GHz~8.0GHz,最高增益1 1.04dB,最大输出功率33dBm,最大PAE达到29.2% ,
电压驻波比较小。

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
laotang09 发表于 2010-5-27 14:18 | 显示全部楼层
只是仿真结果?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

0

主题

12

帖子

1

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部