为啥IGBT驱动芯片上管是三极管，下管是mos？？

发表于 2010-12-13 10:26

本帖最后由 zhaohe2001 于 2010-12-13 10:42 编辑

驱动芯片内部结构中，输出口的驱动方式，为什么上下管不用成一样的？

登录 · 发表于 2010-12-13 10:30

zhaohe2001 · 发表于 2010-12-13 11:00

bjt开启电压比MOS小得多

发表于 2010-12-13 11:19

那下管也用三极管呢？这样开启电压都小了！
下管用mos是不是和导通压降有关呢

123jj · 发表于 2010-12-13 11:23

IGBT的控制对象一般是感性负载，开启时电流较小，关闭时电流较大，因此对脉冲下降沿要求比上升沿陡峭。
因此下管用MOS，单位面积的面积可允许更大的电流流过，这个属于成本对工艺的要求

发表于 2010-12-13 12:44

大蚂蚁正解！

发表于 2010-12-13 12:46

开启和关闭电流的大小和负载特性有关系吗？我觉得只和栅极驱动电阻和栅极电容有关系吧。你说的电流是不是栅极驱动电流啊？

发表于 2010-12-13 14:29

当然有关系，切换损耗与切换电流成正比，也与切换时间成正比，电流大了就要快，电流小了就允许慢一点

发表于 2010-12-13 19:26

明白你的意思。但是感性负载在IGBT关断的时候也是要续流的，这期间电流变化并不大，当IGBT再次导通的时候，电流还是较大，这样还是需要开通快一些的。

发表于 2010-12-14 15:02

蚂蚁哥，大电流关得太快尖峰怎么办？

发表于 2010-12-14 15:23

zvszcs或RC/RCD

发表于 2010-12-14 17:07

RCD参数跟载波有关系的，没法确定啊

还有，ZVS如果做成受控的（由MCU发脉冲），哪里有资料？

谢谢！

发表于 2010-12-14 20:13

来学习的

发表于 2010-12-16 08:52

R由与开关控制回路杂散参数（变压器漏感、布线电感及杂散电容、开关寄生参数等）的特性阻抗设定，C由时间常数决定

发表于 2011-3-8 18:37

留个名

RE: 为啥IGBT驱动芯片上管是三极管，下管是mos？？