“lm22676输入端串个万用表测电流就烧，咋回事？”续

发表于 2011-1-13 15:40

按网友的建议在输入端子和电源模块之间串了个1欧姆的水泥电阻，昨天试了可以，可以测电源效率了，测了24V输入，6V2A输出和36V输入，6V2A输出，但今天接了36V输入，6V3A输出后就又烧了，一股青烟，一阵糊味，GND一个小洞。故障现象一样。LM22676是不是输入电容太小了，开机时的浪涌电压把它给干翻了？加个TVS有用么？这个应用对体积要求比较高。如果要加电容也最好是小体积的。

发表于 2011-1-13 16:22

电流太大烧了铜箔？？

发表于 2011-1-13 16:27

不会啦，还是烧芯片GND那一个小洞，有那个兄弟用过这个片子么？

发表于 2011-1-13 17:24

我怀疑是瞬态电压导致芯片击穿，手册了也讲要加箝压元件。看来电压不能超过极限。那拍是脉冲。

发表于 2011-1-13 17:31

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发表于 2011-1-14 09:10

你把原理图和搭的洞洞板图片贴上来，弄不好是布局没弄好，自激了，退耦电容又那么小。

发表于 2011-1-14 09:30

在前端的输入电容那加了个22uF/50V的电解电容，可以了，拿着鳄鱼夹去碰端子，火花直冒，也可以正常工作，这个就是传说中的自激么？

发表于 2011-1-14 09:35

早在第一个贴里，就有人说过了让你加大退耦

登录 · 发表于 2011-1-14 09:36

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发表于 2011-1-14 09:44

不是迷信NS提供的BOM么，吃了亏才知道。谁要我是电源小白呢。

发表于 2011-1-14 09:47

NS指什么？

发表于 2011-1-14 09:55

国家半导体嘛，简称就是NS ,它肯定是除了事实以外最牛的权威了吧。

登录 · 发表于 2011-1-14 10:00

这个是NS的数据手册上写的，我在上一个帖子里疑惑的为什么要并两个电容一样，但耐压不一样的电容，我认为就是这个原因，一个电容是做ESR高的滤尖峰的作用的。

发表于 2011-1-14 10:07

原文并没有要求并两个耐压不一样的电容，而是提倡并多个不同容量的电容，主要是不同容量的电容对不同频率的阻抗不同，多个并联可以取长避短，加宽退耦的频率范围

发表于 2011-1-14 10:10

我知道，我说要并两个耐压不一样的电容是指国半给的BOM里这么写的，那个BOM在上一个帖里有，可以去看一下。设计思想是一样的。

发表于 2011-1-14 10:18

有他们的道理，我的看法是：陶瓷电容的ESR很小，上电的冲击电流比较大，因此耐压要高一点。钽电容就有这个规定，对上电压摆率有一个限制，或是电压大幅度降额使用

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