cmos自激振荡

登录 · 发表于 2011-4-11 23:23

大家好，最近看到一个cmos的非门组成的自激振荡，我用示波器测量T1=2S，T2=2.3s,其中的c1=0.47UF,R1=2M, 根据公式算，T1=R1C1Ln（VDD-0）/（VDD-VTH), 就算vth=0.3~0.7vdd之间变动，也不能得到T1=2S这个测量值呀？
为什么呢？

发表于 2011-4-12 00:48

CMOS的输入端对电源和地接有保护二极管，因电容的自举作用，在D端会出现高于电源电压和低于地电压的情况，此时D输入口的内部二极将导通，泄放电容上的电荷，造成计算值和实际值的不符。
你要计算值和实际值相符，可以在C-D之间串联一个大电阻（阻值远大于R1），但实际应用中没有必要。

发表于 2011-4-15 11:17

楼上的说的对，按照公式算，应该是0.96s左右，如您所说，内部二极管导通后，泄放电容里的电荷，这样，放电的时间应该更短才对，但是实际的测量值是2倍的时间，所以，不太明白，示波器上测量值确实是在1/2VDD处发生了翻转