请教下mos易击穿的成因

发表于 2011-4-18 12:44

请教下为什么mos输入电阻很大就极易受外界电磁场或静电的感应而带电，肯定是牵涉到电磁场的原理，还是我不知道怎么去理解，谢谢

发表于 2011-4-18 12:48

MOS管输入阻抗为电容性，受静电影响，实质上就是两个电容分压。MOS管输入两端电压仅允许20V(实际上厂家留有余量，大约30V会击穿)，超过就会损坏。

发表于 2011-4-18 14:23

用mos管当开关用不知道会怎样，要能通过1.5A的电流电压12V

发表于 2011-4-18 14:41

MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C）

发表于 2011-4-18 15:11

所以在gs之间加双向稳压管。单向稳压管也可以吧
ds之间加单向稳压管，功率mos管中本身有含有ds之间稳压管的，就不用外加了。

上面说的不一定对。哈

发表于 2011-4-18 18:55

2# maychang

请问老师电容性，为什么就容易受静电影响？实质上就是两个电容分压??怎么理解呢谢谢您

发表于 2011-4-18 19:00

6楼：
不是电容性就容易受影响。输入两端等效一个电容，就相当于电容分压。若是电阻性，那就是电容与电阻分压了。
两个电容分压，一个是静电源与MOS管门极之间的分布电容，一个是MOS管门极与源极之间的电容。要想理解，应该把静电源与MOS管门极之间的分布电容画出来。

发表于 2011-4-18 23:26

学习了

发表于 2011-4-19 07:48

4# CIOneTwo 大哥，网上直接有这句话的，我就是不理解这句话的啊

发表于 2011-4-19 07:49

7# maychang 能否详细讲讲，或者给个书名我们自己去找的啊

发表于 2011-4-19 07:49

2# maychang 我觉得maychang说的有点意思啊

发表于 2011-4-19 08:17

10楼：
实在没有多少内容可讲，这与两支电阻分压完全是一回事，只不过现在不是电阻而是电容，或者是电阻与电容串联分压。
分布电容，不过是没有具体形态和封装的电容罢了。即以人体而言，对室内220V电源线就存在分布电容，其数值大致上数pF到数十pF，随导体面积和距离而变化。
再要细说，那就非得画出图来，并且举实例来说明了。

发表于 2011-4-19 10:48

顶2楼和7楼

发表于 2011-4-20 00:29

12# maychang -------------
我想我理解了，输入电阻很大，1/JWC,其实c很小，根据u=q/c
产生高压

发表于 2011-4-20 02:08

你还是没理解对，一个很小的电容为什么不会被静电击穿，或者二极管反向的时候怎么不被静电击穿。什么是击穿，击穿首先要电流从一端到了另一端。关键在于这个电流过去了会不会造成器件的损坏。如果损坏了，我们就说之这个元件被击穿了。静电通过电容和二极管的时候，由于静电的特点是电压高但总电量很小，也就是说瞬间很大但在一定时间内这两个器件过的平均电流很小，而这两种器件的工艺特点或者说物理特性决定了它在这种情况下是不会损坏的，而mos的工艺特点使它对这种静电造成的“平均小，瞬间大”的电流是抗不住的，所以损坏了，即被击穿了。mos容易被击穿是他的器件的工艺特点决定的。

发表于 2011-4-25 18:25

谢谢了，但是我想问的是击穿等于短路还是断路的呢

发表于 2011-4-26 11:03

好像是短路了！

发表于 2011-4-26 16:00

:lol短路的居多，

请教下mos易击穿的成因

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