[技术问答] 用N76E003flash做eeprom用什么方法保存一个计数的数据累加到数千万

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 楼主| Q80351951 发表于 2019-2-23 13:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
flash擦写次数有限,用N76E003flash做eeprom用什么方法保存一个计数的数据累加到数千万。
zhuotuzi 发表于 2019-2-23 13:36 来自手机 | 显示全部楼层
FMC?有个例子啊,你下BSP
zhuotuzi 发表于 2019-2-23 13:37 来自手机 | 显示全部楼层
这个单片机是可以储存数据的,累加到数千万,是不是数据很大,你可以分开存
LED吴生 发表于 2019-2-23 14:02 | 显示全部楼层
定义区段  每一万次后移动固定字节  

评论

方法还行,就是有点小,128字节计数640000.  发表于 2019-2-23 14:20
天灵灵地灵灵 发表于 2019-2-23 20:02 | 显示全部楼层
对定义个段,在这个段你可以循环存储,比如有4个位置可以存这个数据,然后当你需要保存的时候就存第一个位置,下次你清理掉第一个位置存在第二个位置,以此类推,这样就避免每次都擦写同一个位置。
gx_huang 发表于 2019-2-23 20:30 | 显示全部楼层
别一棵树上吊死,这种场合,我一般是硬件设计时就考虑好了,加上掉电检测信号,滤波电容足够大,掉电时保存数据即可。
每个扇区可以擦写1万次,如果要求擦写几十万几百万,还可以考虑多个字节循坏保存,对于数千万,还是放弃这个土办法吧。
643757107 发表于 2019-2-24 08:37 | 显示全部楼层
总之不要频繁的写就行了,另外不要总在一个位置擦写。
zhuotuzi 发表于 2019-2-24 10:59 来自手机 | 显示全部楼层
看你怎么规划了
wx85105157 发表于 2019-2-25 19:59 | 显示全部楼层
flash擦除后是全部写1,只可以写0改不回去。那么1000bit就是125byte。003一页是128字节。前125字节写0到999,溢出后擦除一页,然后后面三字节递增。这样一页有10w次寿命的话就可以写1亿的数进去
zhuomuniao110 发表于 2019-2-25 22:12 | 显示全部楼层
这个数据是需要每次都进行擦写吗
zhuomuniao110 发表于 2019-2-25 22:12 | 显示全部楼层
如果不需要每次都擦写比较容易,断电前再写入就行
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