STM32通过三极管控制MOS管通断(控制12Vdianyua)请教,附原.....

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 楼主| luo101luo 发表于 2019-5-24 18:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
此原理图是否可以达到控制12V电源的目的,

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tianxj01 发表于 2019-5-24 18:25 | 显示全部楼层
MOS管别用错,这样用,必须是P MOS管,而栅极100K实在是太大了,几K怎么说都是要的,哪怕是做直流开关用。
STM32复位状态,IO是输入模式=悬浮,因此为了复位过程开关不误动,接一个合理是下拉是一个常用手段,可以确保实现自己的目标,作为驱动Pmos的管子,管子Hfe怎么说都有几十倍,所以基极电阻用得太小了,没意义,白白增加功耗,还增加管子饱和度,直接2个10K并联基极串联到单片机就OK了。
整个线路基本思路和连接没任何问题。
 楼主| luo101luo 发表于 2019-5-24 18:32 | 显示全部楼层
2个10K并联基极串联到单片机?这个没有看明白,谢谢!是图上的意思吗?

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maychang 发表于 2019-5-24 18:35 | 显示全部楼层
luo101luo 发表于 2019-5-24 18:32
2个10K并联基极串联到单片机?这个没有看明白,谢谢!是图上的意思吗?

是这个意思。
 楼主| luo101luo 发表于 2019-5-24 19:02 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-5-24 18:25
MOS管别用错,这样用,必须是P MOS管,而栅极100K实在是太大了,几K怎么说都是要的,哪怕是做直流开关用。
...

感谢!
 楼主| luo101luo 发表于 2019-5-24 19:02 | 显示全部楼层
Diyer123 发表于 2019-5-24 20:31 | 显示全部楼层
建议查一下你用的MOS的datasheet,看Vgs是否允许12V?
一般低压MOS的Vgs很少有超过10V的。
如果不允许12V,需要在栅极和R21的节点串联一个电阻到三极管C极,阻值选取原则:当C极拉低时,保证R21两端的分压小于MOS管最大Vgs值。
为保证可靠开关,电阻值在不超过额定功率前提下尽量小。

评论

说到点子上了  发表于 2019-5-27 10:57
xiaxingxing 发表于 2019-5-24 21:06 | 显示全部楼层
Diyer123 发表于 2019-5-24 20:31
建议查一下你用的MOS的datasheet,看Vgs是否允许12V?
一般低压MOS的Vgs很少有超过10V的。
如果不允许12V, ...

PMOS管的DS之间不用串一个电阻吗?因为如果PMOS管的D极输出电压(VCC_12V_OUT1)接一个很重的负载呢?
 楼主| luo101luo 发表于 2019-5-25 09:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 luo101luo 于 2019-5-26 16:14 编辑
Diyer123 发表于 2019-5-24 20:31
建议查一下你用的MOS的datasheet,看Vgs是否允许12V?
一般低压MOS的Vgs很少有超过10V的。
如果不允许12V, ...

这款SI2309  VGS=±20V
之前的AO3401 VGS=±12V 确实不合适

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lihui567 发表于 2019-5-25 19:30 | 显示全部楼层
这种驱动方式没有问题的,换个Vgs大一点电压就可以

评论

不用换,三极管集电极串个电阻就行了  发表于 2019-5-27 10:58
liutaogary 发表于 2019-5-27 17:28 | 显示全部楼层
可以啊
 楼主| luo101luo 发表于 2019-6-3 16:07 | 显示全部楼层
实际过程中使用下图,但是当电压高于8.5V(根据后端的供电设备不一样此电压有所改变,但最大供电功率不超过350mA)单片机输出引脚有低电平输出,导致输出电压不稳定,为什么会出现这样的情况?Pmos(SI2309 VGS=20V)管VGS合适,为何输入电压高导致输出电压不稳定?一直没有找到原因!

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tianxj01 发表于 2019-6-3 16:15 | 显示全部楼层
luo101luo 发表于 2019-6-3 16:07
实际过程中使用下图,但是当电压高于8.5V(根据后端的供电设备不一样此电压有所改变,但最大供电功率不超过3 ...

线路没问题,单片机有低电平输出,当然会导致输出电压波动。
这个要启动负载,单片机必须稳定输出高电平,而且,采用此类驱动,VCC12V电压和单片机动作,正常情况应该没有任何联系,试着寻找是不是有别的什么信号在VCC升高后,会触动单片机发出错误指令。
叶春勇 发表于 2019-6-3 16:19 | 显示全部楼层
PMOS是这样驱动的吧,电阻位置不对。
这两个电阻比例要好选择,要考虑si2309 的门槛电压

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 楼主| luo101luo 发表于 2019-6-3 19:30 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-6-3 16:19
PMOS是这样驱动的吧,电阻位置不对。
这两个电阻比例要好选择,要考虑si2309 的门槛电压
...

需要在栅极和R16的节点串联一个电阻到三极管C极,阻值选取原则:当C极拉低时,保证R16两端的分压小于MOS管最大Vgs值。为保证可靠开关,电阻值在不超过额定功率前提下尽量小。请问这是一个意思吗?
hankelin75 发表于 2019-6-5 17:44 | 显示全部楼层
luo101luo 发表于 2019-6-3 16:07
实际过程中使用下图,但是当电压高于8.5V(根据后端的供电设备不一样此电压有所改变,但最大供电功率不超过3 ...

查下其它原因吧
peter112608 发表于 2019-8-31 00:32 | 显示全部楼层
实在忍不住了,R16换成100K,不放心电源输入的突变的话,再并联一个上﹣下+的稳压二极管,稳压值10V~15V均可(根据MOS的Vgs值),这样的电路随便艹!
wcf88123310 发表于 2019-9-9 11:07 | 显示全部楼层
linyaqiang 发表于 2020-9-1 15:18 | 显示全部楼层
请问以上电路换成24V供电能使用吗?
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