三极管热失控的根源是什么?

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 楼主| xukun977 发表于 2019-9-20 13:58 | 显示全部楼层 |阅读模式


网上好多讨论热失控的,但好多都是谈如何防止或者控制热失控的**。
那么谈论热失控问题首要的一点,是把问题的根源找到先,然后才好有针对性的治病。

问题来了,三极管为何会出现热失控,谁能详细的谈一谈?

tianxj01 发表于 2019-9-20 14:49 | 显示全部楼层
网上现在说的多的可是锂电池热失控,没说三极管呢。
三极管热失控最主要的内部动因是负温度系数。
三极管热失控,通常是指为了消除失真而需要一定偏置的应用,当输出功率增加三极管发热增加,负温度系数则导致偏置被进一步增加,到某个程度,则进入静态电流失控状态直至烧毁器件。
这方面,比如MOS管,由于正温度系数,则就没有在线性电路应用产生所谓热失控。
 楼主| xukun977 发表于 2019-9-20 18:46 | 显示全部楼层

热失控的表现是三极管的IC是正温度系数。
热失控的根源有三:(1)ICO;(2)IC=f(VBE,Ib)

LED2013 发表于 2019-9-20 23:33 | 显示全部楼层
难道不是自激振荡么
 楼主| xukun977 发表于 2019-9-21 09:04 | 显示全部楼层
LED2013 发表于 2019-9-20 23:33
难道不是自激振荡么

怎么个振荡法?分析一下机理?
tianxj01 发表于 2019-9-21 15:01 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2019-9-20 22:39
为什么不说是温度越高而Vbe越低,则Ic变大。Vbe和Ic哪个是主因?造成热跑脱的。 ...

三极管包括HFE、ICEO、Vbe-IC在温度下都是一群相对平移的线簇。HFE对温度是正的,ICEO也是正的
Vbe-IC曲线负的很厉害,上下平移幅度最大,比三极管里面任何一个核心参数的温度图表偏移都大。
可以说,负温度系数的Vbe特性,是导致热失控的核心原因。
tianxj01 发表于 2019-9-21 17:36 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2019-9-21 17:09
那么,Vbe是主角,而致使Ic悪性循环的变大,最终过电流或过功率,而烧毁三极管。
是不是说楼主x大,把主 ...

他有没有搞错不知道,作为三极管,零偏置使用是没有热失控这一说法的。
典型的就是指在甲乙类、乙类、甲类等大功率线性放大领域,才有的一个典型现象,而作为典型的热失控,通常还得有个特征,那就是偏置一般为恒压源,如果用恒流源做,也很难弄出个什么热失控。
从现象看本质,那么当恒压源偏置,加上无良的高的负温度系数的VBE,应该才是导致热失控的最大动力,毕竟只需要稍微越过截止点或者拐点,则恶性增加的IC最终将因为恶性循环而KILL三极管。
tianxj01 发表于 2019-9-21 18:04 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2019-9-21 17:09
那么,Vbe是主角,而致使Ic悪性循环的变大,最终过电流或过功率,而烧毁三极管。
是不是说楼主x大,把主 ...

大概在20年前,那时候玩HIFI,我曾经用过这样一个看起来挺古怪的互补输出级。
2个型号4个互补管子,组成输出输入压差为0的2级射极跟随输出器。
采用图中的参数,静态电流每管子将达到130mA,而功耗接近5W,整个末级功耗近30W。
这样大功耗的甲乙类互补输出级,看起来没有采用任何补偿措施,但是实际上,这个线路不会发生热失控。
原因很简单,因为Q29-Q24是同一型号的管子,都是TO-3P封装、或者220封装的管子,他们集电极是直接相连的,在实际制作时候,他们是紧挨着固定在散热器上面的,而且不加绝缘垫,整个散热器绝缘后接到﹢36V,PNP管子也是同样。
就因为这样的热耦合,再去看线路里面,其实4个BE的PN-NP结组成了一个压差为0的环,任何一个因为热,导致的VBE下降,均能引起整个VBE环的同步下降。
这样的线路,其实真的是一个不错的大功率功放的末级线路,缺点嘛就是次输出级材料是很浪费的,多用了一倍的末级管子。
上面的例子说明了,只要该死的VBE在工作温度范围能被控制主,则所谓的热失控就不会发生。

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 楼主| xukun977 发表于 2019-9-21 18:30 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-9-21 15:01
三极管包括HFE、ICEO、Vbe-IC在温度下都是一群相对平移的线簇。HFE对温度是正的,ICEO也是正的
Vbe-IC曲 ...



全都是用短句传达信息,读起来会让人抓狂,因为传递信息不完整。

1)IC的分量ICO,随着温度升高而指数上升(速率大约是百分之十几/摄氏度)
2)由于电路约束使得IB为定值,直流共射电流增益随着温度增加而上升,导致IC增加;
3)电路约束使得VBE为定值,那么IC随着温度升高而以大约8%/℃的速率而上升。

 楼主| xukun977 发表于 2019-9-21 20:29 | 显示全部楼层

关于电路的工作点稳定性问题,我以前已经大致说过了(去我们那个版块找)


如果那个地方你看懂了,使用简单的知识点迁移,可以轻松判断热失控的判断方法,这就是触类旁通。







根据以前说的判据,上面哪个散热曲线对应的热系统的是稳定的?哪个会热失控?









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 楼主| xukun977 发表于 2019-9-21 20:34 | 显示全部楼层

下图这个东东,是模拟运放IC电路中的跨导线性环,相关原理我们已经说过了(并拓展到MOSFET电路),这里不多说了,老是重复没意思。












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shalixi 发表于 2019-9-22 10:09 来自手机 | 显示全部楼层
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