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[技术问答] 页擦除闪存和烧写的容量分别为多少?

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 楼主| huahuagg 发表于 2019-10-31 19:06 | 显示全部楼层 |阅读模式
烧写, Cortex, Cortex-M, TE, cortex-
Cortex-M0擦除每页为512字节，而Cortex-M4则为2k字节，烧写为每4个字节(1个字)。
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 楼主| huahuagg 发表于 2019-10-31 19:06 | 显示全部楼层
        Flash Memory Controller (FMC)
记住了，是FMC功能，可以看FMC的例程序。
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heisexingqisi 发表于 2019-10-31 19:11 | 显示全部楼层
原来M0跟M4还有区别啊
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heisexingqisi 发表于 2019-10-31 19:11 | 显示全部楼层
M4是M0的4倍。
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xixi2017 发表于 2019-10-31 20:50 | 显示全部楼层
烧写都是一样的吗？
烧写为每4个字节(1个字)。
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玛尼玛尼哄 发表于 2019-10-31 21:10 | 显示全部楼层
要写完了一页才可以擦掉。为了防止频繁擦写。
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小明的同学 发表于 2019-10-31 21:17 | 显示全部楼层
一般都提供了例子，FMC操作的那个。还可以当EEPROM用。
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598330983 发表于 2019-11-4 23:13 | 显示全部楼层
是不太一样，还是按手册做。
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天灵灵地灵灵 发表于 2019-11-7 00:10 | 显示全部楼层
用的时候看看手册保证错不
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