NMOS管的开关电路，能不能用电阻采样低边电流？

登录 · 发表于 2020-6-12 17:59

NMOS管的开关电路，一般负载放在D极，但是如果S极放一个很小的采样电阻（如0.02R）来采样电路的电流，这样有没有什么问题？

发表于 2020-6-12 19:57

可以，R2电压不太大就行。按原理图，R2=10m欧，10A时候 V=0.1V，对单片机来说，电压太小。

发表于 2020-6-12 21:10

楼上说得对

发表于 2020-6-13 07:34

不知道电流是多大, 上面的讨论理论上可行, 实际上地线噪声可能会很大. 要小心处理.
一般是先运放放大后再给 ADC

发表于 2020-6-13 13:48

完全可以，但是要注意二点：
1. 采样电阻上的电压不能太大，并且采样值需后接放大器将采样值放大，便于做相关的控制；
2. PCB布线需要注意，特别是采样端的GND

发表于 2020-6-13 14:20

电流取样芯片很多，目前我在用的是INA168，差分输入，单端输出，后面再接放大跟随接入AD，比你这个准确度应该高一点，R2和GND之间的走线电阻估计也是mΩ级别的。

发表于 2020-6-15 08:59

谢谢各位

发表于 2020-6-15 09:50

这个电路测量负载电流不好。因为负载电流的大小非常依赖Q1门极电压的大小。Q1不是纯粹的开关。

发表于 2020-6-15 09:53

xmar 发表于 2020-6-15 09:50
这个电路测量负载电流不好。因为负载电流的大小非常依赖Q1门极电压的大小。Q1不是纯粹的开关。 ...

G极连接单片机IO口只有低和高两个状态

发表于 2020-6-15 10:03

玻璃之城发表于 2020-6-15 09:53
G极连接单片机IO口只有低和高两个状态

单片机高电平Q1导通时，由于源极S串联取样电阻，这样NMOS管漏极D的压降还是比较高。Q1工作在线性放大状态，而不是饱和状态，门极有干扰会被放大。

如取样电阻很小，不是说不可测电流，而是不好。

发表于 2020-6-15 11:46

xmar 发表于 2020-6-15 10:03
单片机高电平Q1导通时，由于源极S串联取样电阻，这样NMOS管漏极D的压降还是比较高。Q1工作在线性放大状态 ...

是的，所以我尽量减小采样电阻阻值，准备用0.01R，电流3A左右，压降增加很小，问题不大

@玻璃之城 · 发表于 2020-6-15 12:01

玻璃之城发表于 2020-6-15 11:46
是的，所以我尽量减小采样电阻阻值，准备用0.01R，电流3A左右，压降增加很小，问题不大 ...

如果电流有3A，选择 Si2302 非常勉强，市场上只有很少几家型号为 Si2302 的电流可以达到3A以上。建议改用更大电流的MOS管。
而且能满足3A输出的 2302，一般要求此时 Vgs > 4.5V，如果MCU是3.3V电源，有严重的前面提及的非完全导通风险

发表于 2020-6-15 12:52

电阻采样放大，这是常规设计，精度比较高的。
有些应用场合，对电流绝对精度要求不严格的，甚至可以直接采样NMOS饱和导通的压降来估算电流。